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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 한국결정성장학회지 제17권 제5호
발행연도
2007.1
수록면
179 - 186 (8page)

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이 논문의 연구 히스토리 (15)

2007

Hot Wall Epitaxy (HWE)법에 의한 ZnIn2S4 단결정 박막 성장과 가전자대 갈라짐에 대한 광전류 연구
홍광준 센서학회지 2007.01 학술저널
Hot Wall Epitaxy(HWE)법에 의한 CdGa2Se4 단결정 박막의 성장과 가전자대 갈라림에 대한 광전류 연구
홍광준 ,  박창선 한국결정성장학회지 2007.01 학술저널

2006

Hot Wall Epitaxy(HWE)법에 의한 AgGaSe2 단결정 박막 성장과 가전자대 갈라짐에 대한 광전류 연구
홍광준 ,  이관교 센서학회지 2006.01 학술저널

2004

Hot Wall Epitaxy(HWE)법에 의한 CuInSe2 단결정 박막 성장과 가전자대 갈라짐에 대한 광전류 연구
홍광준 ,  홍명석 한국결정성장학회지 2004.01 학술저널

2003

태양전지용 CuGaSe₂ 단결정 박막 성장과 열처리 효과
홍광준 ,  유상하 한국태양에너지학회 논문집 2003.06 학술저널
Hot wall epitaxy에 의해 성장된 HgCdTe 에피레이어의 광전기적특성
홍광준 한국재료학회 학술발표대회 2003.01 학술대회자료

2002

태양 전지 개발을 위한 CdGa₂Se₄ 단결정 박막 성장과 특성
홍광준 한국태양에너지학회 학술대회논문집 2002.05 학술대회자료
Hot Wall Epitaxy법에 의한 태양전지개발용 $CuInSe_2$ 단결정박막 성장과 광전기적 특성
홍광준 한국결정학회 학술연구발표회 2002.01 학술대회자료

2001

태양 전지 개발을 위한 CuGaSe₂ 단결정 박막성장과 특성에 관한 연구
홍광준 ,  이상열 ,  유상하 외 6명 한국태양에너지학회 학술대회논문집 2001.05 학술대회자료
태양전지 개발을 위한 CuInSe₂ 단결정 박막 성장과 특성
홍광준 ,  이상열 ,  유상하 외 6명 한국태양에너지학회 학술대회논문집 2001.05 학술대회자료
Hot Wall Epitaxy (HWE)법에 의한 AgGa$Se_2$ 단결정 박막 성장과 특성
홍광준 ,  이관교 ,  박진성 한국재료학회지 2001.01 학술저널
HOt Wall Epitaxy (HWE)에 의한 $CdGa_2Se_4$ 단결정 박막 성장과 광학적 특성
홍광준 ,  박창선 한국결정학회 학술연구발표회 2001.01 학술대회자료

2000

Hot Wall Epitaxy(HWE) 방법에 의한 $CuInTe_2$ 단결정 박막 성장과 특성에 관한 연구
홍광준 ,  이관교 ,  이상열 외 6명 한국결정학회지 2000.01 학술저널
HWE 방법으로 성장한 $CuGaSe_2$단결정 박막의 광학적 특성
홍광준 한국결정학회 학술연구발표회 2000.01 학술대회자료

1998

Hot Wall Epitaxy(HWE) 방법에 의한 $AgInS_2$ 단결정 박막 성장과 광전도 특성
홍광준 한국결정학회지 1998.01 학술저널

초록· 키워드

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CdGa2Se4 단결정 박막을 수평 전기로에서 합성한 CdGa2Se4 다결정을 증발원으로하여, hot wall epitaxy(HWE) 방법으로 증발원과 기판(반절연성-GaAs(100))의 온도를 각각 630oC, 420oC로 고정하여 성장하였다. 이때 단결정 박막의 결 정성은 광발광 스펙트럼과 이중결정 X-선 요동곡선(DCRC)으로 부터 구하였다. Hall 효과는 van der Pauw 방법에 의해 측 정되었으며, 293 K에서 운반자 농도와 이동도는 각각 8.27 × 1017cm.3, 345 cm2/V·s였다. CdGa2Se4/SI(Semi-Insulated) GaAs (100) 단결정 박막의 광흡수와 광전류 spectra를 293 K에서 10 K까지 측정하였다. 광흡수 스펙트럼으로부터 band gap Eg(T) 는 Varshni 공식에 따라 계산한 결과 Eg(T) = 2.6400 eV . (7.721 × 10.4eV/K)T2/(T + 399 K)였다. 광전류 스펙트럼으로부터 Hamilton matrix(Hopfield quasicubic mode)법으로 계산한 결과 crystal field splitting 에너지 Δcr값이 106.5 meV이며 spinorbit 에너지 Δso값은 418.9 meV임을 확인하였다. 10 K일 때 광전류 세 봉우리들은 A1-, B1-와 C11-exciton 봉우리임을 알 았다.
#CdGa2Se4 #Energy band gap #Photocurrent spectrum #Crystal field splitting energy #Spin-orbit splitting energy

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/ / “Elements of X-ray diffractions” 11. google schola / 1955 / “Crystal Structrue and two-phonon absorption in CdGa2Se4” : 241 ~ google schola / 1965 / “Electron raditiondamage in Cadium-Selenide crystal at liquid-helium temperrature” : 109 ~ google schola / 1967 / Physics and Chemistry of II-VI Compounds : 340 ~ google schola / 19721854. / “Optical absorption of CdGa2Se4 single cyrstals” google schola

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