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논문 기본 정보

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저널정보
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 한국결정성장학회지 제17권 제2호
발행연도
2007.1
수록면
52 - 56 (5page)

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본 연구에서는 초고진공(UHV, ultra high vacuum) 분자선 에피성장(MBE, molecular beam epitaxy) 시스템을 제 작하여, ZnSe/GaAs[001]을 증착하였고, 증착된 박막의 특성을 SEM(scanning electron microscopy), AFM(atomic force microscopy)으로 조사하여, 분자층 단위의 조밀하고 균일한 표면특성을 보이고 있음을 확인할 수 있었다. XRD(x-ray diffractometer)를 이용하여, GaAs[001]기판의 XRD peak 위치와 ZnSe 박막의 XRD peak 위치가 각각 일치함을 확인할 수 있었다. PL(photoluminescence)로는 대략 437 nm에서 발광하는 것이 관측되었으며, 2인치 ZnSe 박막의 PL mapping을 측정 하였다.
#Ultra high vacuum #UHV) #Molecular beam epitaxy #MBE) #Effusion cell #plasma cell #ZnSea

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참고문헌 (7)

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/ 1998 / Growth of large ZnSe single crystal by CVT method 186 : 60 ~ google schola / 1998 / Self-compensation of the phosphorous acceptor in ZnSe 37 : 1453 ~ google schola / 2000 / Vacuum science : 681 ~ 695 google schola / 2001 / Introductory Vacuum Science & Technology : 412 ~ 420 google schola / 2002 / Improvement in crystallinity of ZnSe by inserting a low-temperature buffer layer between the ZnSe epilayer and the GaAs substrate 242 : 95 ~ google schola

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