Hot Wall Epitaxy(HWE)법에 의한 MgGa2Se4 단결정 박막 성장과 가전자대 갈라짐에 대한 광전류 연구

김혜정; 박향숙; 방진주; 강종욱; 홍광준

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자료유형: 학술저널

저자정보: 김혜정 박향숙 방진주 강종욱 홍광준

저널정보: 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 한국결정성장학회지 제23권 제6호

발행연도: 2013.1

수록면: 283 - 290 (8page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2014

뜨거운 곁쌓기법에 의해 성장된 MgGa2Se4 단결정 박막의 광전기적 특성

김혜정 물리 2014.01 학위논문

2013

Hot Wall Epitaxy(HWE)법에 의한 MgGa2Se4 단결정 박막 성장과 가전자대 갈라짐에 대한 광전류 연구

김혜정 , 박향숙 , 방진주 외 2명 한국결정성장학회지 2013.01 학술저널

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수평 전기로에서 MgGa2Se4 다결정을 합성하여 HWE(Hot Wall Epitaxy)방법으로 MgGa2Se4 단결정 박막을 반절연성 GaAs(100)기판에 성장시켰다. MgGa2Se4단결정 박막의 성장 조건은 증발원의 온도 610oC, 기판의 온도 400oC였고 성장 속도는 0.5 μm/hr였다. 이때 이중결정 X-선 요동곡선(DCRC)의 반폭치(FWHM)도 212 arcsec로 가장 작아 최적 성장 조건임을 알 수 있었다. MgGa2Se4/SI(Semi-Insulated) GaAs(100) 단결정 박막의 광흡수와 광전류 spectra를 293 K에서 10 K까지 측정하였다. 광흡수 스펙트럼으로부터 band gap Eg(T)는 varshni공식에 따라 계산한 결과 Eg(T) = 2.34 eV − (8.81 × 10−4eV/K)T2/(T + 251 K)이었으며 광전류 스펙트럼으로부터 Hamilton matrix(Hopfield quasicubic mode)법으로 계산한 결과crystal field splitting energy Δcr값이 190.6 meV이며 spin-orbit energy Δso값은 118.8 meV임을 확인하였다. 10 K일 때 광전류봉우리들은 n = 1, 27일때 A1-, B1-와 C27-exciton 봉우리임을 알았다.

#MgGa2Se4 #Hot wall epitaxy #Crystal growth #Energy band gap #Photocurrent spectum #Crystal field splitting energy #Spin-orbit splitting energy

참고문헌 (14)

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A.M. Andriesh / 1995 / Electronically active defects in MgGa2Se4-based heterojunction solar cells / Phys. Stat. Sol 187 : 83 ~

B.D. Cullity / 1985 / Elements of X-ray Diffractions / Caddson- Wesley

H.G. Kim / 1988 / Structure and optical properties of MgGa2Se4 and MgGa2Se4 : Co2+ single crystal / Physical Review B 38 (14) : 9469 ~

H.G. Kim / 1993 / Ptotoluminescience in undoped and co-doped MgGa2Se4 : Ni2+ single crystal / J. Korean Phys. Soc 26 (4) : 429 ~

H.L. Park / 1989 / Optical absorption of MgGa2Se4 : Ni2+ single crystal / Solid State Communications 72 (9) : 905 ~