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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2014.1
- 수록면
- 229 - 236 (8page)
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수평 전기로에서 MnAl2S4 다결정을 합성하여 HWE(Hot Wall Epitaxy)방법으로 MnAl2S4 단결정 박막을 반절연성 GaAs(100)기판에 성장시켰다. MnAl2S4 단결정 박막의 성장 조건은 증발원의 온도 630oC, 기판의 온도 410oC였고 성장속도는 0.5 μm/hr였다. 이때 MnAl2S4 단결정 박막의 결정성의 조사에서 이중결정 X-선 요동곡선(DCRC)의 반폭치(FWHM)도 132 arcsec로 가장 작아 최적 성장 조건임을 알 수 있었다. MnAl2S4/SI(Semi-Insulated) GaAs(100) 단결정 박막의 광흡수를 293 K에서 10 K까지 측정하였다. 광흡수 스펙트럼으로부터 band gap Eg(T)는 Varshni 공식에 따라 계산한 결과 Eg(T) =3.7920 eV − (5.2729 × 10−4 eV/K)T2/(T + 786 K)였다. MnAl2S4 단결정 박막의 응용소자인 photocell로 사용할 수 있는 pc/dc값이 가장 큰 광전도셀은 S 증기분위기에서 열처리한 셀로 1.10 × 107이었으며, 광전도 셀의 감도(sensitivity)도 S 증기분위기에서 열처리한 셀이 0.93로 가장 좋았다. 또한 최대 허용소비전력(MAPD)값도 S 증기분위기에서 열처리한 셀이 316 mW로 가장 좋았으며, S 증기분위기에서 열처리한 셀의 응답시간은 오름시간 14.8 ms, 내림시간 12.1 ms로 가장 빠르게 나타나,MnAl2S4 단결정 박막을 S 분위기에서 290oC로 30분 열처리한 photocell이 상용화가 가능할 것으로 여겨진다.
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참고문헌 (13)
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A. Khan / 1984 / Crystallographic and luminescentcharacterizations of blue-emitting BaAl2S4 : Euelectroluminescent thin films / J. Cryst. Growth 69 : 241 ~
A.A. Vaipolin / 2003 / Radiative recombination in MnAl2S4 / Semiconductors 37 : 432 ~
B.D. Cullity / 1985 / Elements of X-ray diffractions / Caddson-Wesley : 11 ~
J. Filipowicz / 1999 / Influence ofΥ-irradiation on the optical and electrical properties ofMnAl2S4 films / Radiat. Phys. Chem 50 (2) : 175 ~
J. Luengo / 1996 / MnAl2S4/CdS heterojunctionphotovoltaic detectors / Matterials Letters 26 : 47 ~
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J. Luengo / 1996 / MnAl2S4/CdS heterojunctionphotovoltaic detectors / Matterials Letters 26 : 47 ~
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