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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국센서학회 센서학회지 센서학회지 제16권 제6호
발행연도
2007.1
수록면
419 - 427 (9page)

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이 논문의 연구 히스토리 (15)

2007

Hot Wall Epitaxy (HWE)법에 의한 ZnIn2S4 단결정 박막 성장과 가전자대 갈라짐에 대한 광전류 연구
홍광준 센서학회지 2007.01 학술저널
Hot Wall Epitaxy(HWE)법에 의한 CdGa2Se4 단결정 박막의 성장과 가전자대 갈라림에 대한 광전류 연구
홍광준 ,  박창선 한국결정성장학회지 2007.01 학술저널

2006

Hot Wall Epitaxy(HWE)법에 의한 AgGaSe2 단결정 박막 성장과 가전자대 갈라짐에 대한 광전류 연구
홍광준 ,  이관교 센서학회지 2006.01 학술저널

2004

Hot Wall Epitaxy(HWE)법에 의한 CuInSe2 단결정 박막 성장과 가전자대 갈라짐에 대한 광전류 연구
홍광준 ,  홍명석 한국결정성장학회지 2004.01 학술저널

2003

태양전지용 CuGaSe₂ 단결정 박막 성장과 열처리 효과
홍광준 ,  유상하 한국태양에너지학회 논문집 2003.06 학술저널
Hot wall epitaxy에 의해 성장된 HgCdTe 에피레이어의 광전기적특성
홍광준 한국재료학회 학술발표대회 2003.01 학술대회자료

2002

태양 전지 개발을 위한 CdGa₂Se₄ 단결정 박막 성장과 특성
홍광준 한국태양에너지학회 학술대회논문집 2002.05 학술대회자료
Hot Wall Epitaxy법에 의한 태양전지개발용 $CuInSe_2$ 단결정박막 성장과 광전기적 특성
홍광준 한국결정학회 학술연구발표회 2002.01 학술대회자료

2001

태양 전지 개발을 위한 CuGaSe₂ 단결정 박막성장과 특성에 관한 연구
홍광준 ,  이상열 ,  유상하 외 6명 한국태양에너지학회 학술대회논문집 2001.05 학술대회자료
태양전지 개발을 위한 CuInSe₂ 단결정 박막 성장과 특성
홍광준 ,  이상열 ,  유상하 외 6명 한국태양에너지학회 학술대회논문집 2001.05 학술대회자료
Hot Wall Epitaxy (HWE)법에 의한 AgGa$Se_2$ 단결정 박막 성장과 특성
홍광준 ,  이관교 ,  박진성 한국재료학회지 2001.01 학술저널
HOt Wall Epitaxy (HWE)에 의한 $CdGa_2Se_4$ 단결정 박막 성장과 광학적 특성
홍광준 ,  박창선 한국결정학회 학술연구발표회 2001.01 학술대회자료

2000

Hot Wall Epitaxy(HWE) 방법에 의한 $CuInTe_2$ 단결정 박막 성장과 특성에 관한 연구
홍광준 ,  이관교 ,  이상열 외 6명 한국결정학회지 2000.01 학술저널
HWE 방법으로 성장한 $CuGaSe_2$단결정 박막의 광학적 특성
홍광준 한국결정학회 학술연구발표회 2000.01 학술대회자료

1998

Hot Wall Epitaxy(HWE) 방법에 의한 $AgInS_2$ 단결정 박막 성장과 광전도 특성
홍광준 한국결정학회지 1998.01 학술저널

초록· 키워드

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Single crystal ZnIn2S4 layers were grown on a oC withthe hot wall epitaxy (HWE) system by evaporating the polycrystal source of ZnIn2S4 at 610oC prepared from horizontalelectric furnace. The crystalline structure of the single crystal thin films was investigated by the photoluminescence anddouble crystal X-ray difraction (DCXD). The carrier density and mobility of single crystal ZnIn2S4 thin films measuredwith Hall effect by van der Pauw method are 8.51×1017 electron/cm3, 291 cm2/v-s at 293 K, respectively. The photocurrentand the absorption spectra of ZnIn2S4 /SI(Semi-Insulated) GaAs(100) are measured ranging from 293 K to 10 K. Thetemperature dependence of the energy band gap of the ZnIn2S4 obtained from the absorption spectra was well describedby the Varshni's relation, Eg(T)=2.9514 eV(7.24×104 eV/K)T2/(T+489 K). Using the photocurrent spectra and theHopfield quasicubic model, the crystal field energy(cr) and the spin-orbit spliting energy(so) for the valence band ofthe ZnIn2S4 have been estimated to be 167.8 meV and 14.8 meV at 10 K, respectively. The thre photocurrent peaksobserved at 10 K are ascribed to the A1-, B1-, and C41-exciton peaks.
#ZnIn2S4 #energy band gap #photocurent spectrum #crystal field splitting energy #spin-orbit splitting energy

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/ 1967 / “Far-infrared optical absorption of Fe2+ in ZnSe” : 149 ~ 154 google schola / 1975 / “Analysis of the electrical and luminescent properties of ZnIn2S4” : 1777 ~ 1782 google schola / 1978 / “Infrared lattice vibration spectra of ZnIn2S4” : 449 ~ 454 google schola / 1978 / “The optical properties of ZnIn2S4 thin films” : 67 ~ 72 google schola / 1983 / “Luminescence and impurity states in ZnIn2S4” shio (ya and g) : 19 1369 ~ 1376 google schola

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