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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2003.1
- 수록면
- 152 - 152 (1page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (15)
2007
2004
2003
2002
2001
태양 전지 개발을 위한 CuGaSe₂ 단결정 박막성장과 특성에 관한 연구
홍광준
,
이상열
,
유상하
외 6명
한국태양에너지학회 학술대회논문집
2001.05
학술대회자료
태양전지 개발을 위한 CuInSe₂ 단결정 박막 성장과 특성
홍광준
,
이상열
,
유상하
외 6명
한국태양에너지학회 학술대회논문집
2001.05
학술대회자료
Hot Wall Epitaxy (HWE)법에 의한 AgGa$Se_2$ 단결정 박막 성장과 특성
홍광준
,
이관교
,
박진성
한국재료학회지
2001.01
학술저널
HOt Wall Epitaxy (HWE)에 의한 $CdGa_2Se_4$ 단결정 박막 성장과 광학적 특성
홍광준
,
박창선
한국결정학회 학술연구발표회
2001.01
학술대회자료
2000
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Hg$\sub$l-x/Cd$\sub$x/Te (MCT) was grown by hot wall epitaxy. Prior to the MCT growth, the CdTe (111) buffer layer was grown on the GaAs substrate at the temperature of 590$^{\circ}C$ for 15 min. When the thickness of the CdTe buffer layer was 5 $\mu\textrm{m}$ or thicker, the full width at half maximum values obtained from the x-ray rocking curves were found to significantly decrease. After a good quality CdTe buffer layer was grown, the MCT epilayers were grown on the CdTe (111) /GaAs substrate at various temperatures in situ. The crystal quality for those epilayers was investigated by means of the x-ray rocking curves and the photocurrent experiment The photoconductor characterization for the epilayers was also measured The energy band gap of MCT was determined from the photocurrent measurement and the x composition rates from the temperature dependence of the energy band gap were turned out
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대한전자공학회 학술대회
1994 .01
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The Characterization of ZnSe / GaAs Epilayers Grown by Hot wall Epitaxy
대한전자공학회 학술대회
1997 .01
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Characteristics of CdTe Epilayers Grown on Different Treated Si Substrates by MBE
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
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전기전자재료학회논문지
2010 .01
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1987 .11
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한국태양에너지학회 학술대회논문집
2016 .03
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한국재료학회지
2002 .01
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대한전기학회 학술대회 논문집
1996 .07
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CdTe박막의 근접승화 제조조건에 따른 CdS/CdTe 태양전지의 광전압 특성
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1998 .01
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2007 .01
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1996 .01
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