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논문 기본 정보

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저널정보
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 한국결정성장학회지 제14권 제4호
발행연도
2004.1
수록면
140 - 144 (5page)

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Hot-wall epitaxy법으로 GaAs 기판 위에 성장시킨 CdTe 박막은 (111) 면의 단결정 박막으로 성장되었음을 XRD 측정으로부터 확인하였으며, 박막 성장률은 SEM 측정 사진으로부터 30 Å/s임을 알았다. PL 측정으로 얻은 최적성장조건 은 원료물질 온도 500oC, 기판 온도 320oC이었다.
#CdTe #How wall epitaxy #XRD #Photoluminescence #Exciton

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참고문헌 (13)

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C.H. Wang / 1985 / ？Photoluminescence in CdTe grown on GaAs by metalorganic chemical vapor deposition : 962 ~ google schola H. Tatsuoka / 1989 / ？Growth of CdTe on GaAs by hot-wall epitaxy and its stress relaxation : 2073 ~ google schola H. Tatsuoka / 1990 / ？Strain relaxation of CdTe layers grown by hot-wall epitaxy on GaAs : 6860 ~ google schola H.A. Mar / 1984 / ？Study of the initial stages of growth of CdTe on : 898 ~ google schola M.S. Han / 1997 / The effect of hydrogenation in HgxCd1 - xTe thin films grown on p-CdTe (211) B substrates 120 : 287 ~ google schola

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