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저널정보
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 한국결정성장학회지 제15권 제4호
발행연도
2005.1
수록면
157 - 161 (5page)

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Hot-wall epitaxy법으로 GaAs 기판 위에 성장시킨 CdTe 박막을 실온에서 포톤에너지 1.5~5.5eV 영역에서 타원 분광기로 복소 유전함수를 구하였다 타원분광기의 스펙트럼에서는 E1, E1 + D1, E2의 임계점이 관찰 되었으며 이들 에너지 는 CdTe 박막의 두께가 증가함에 따라 감소하였다.
#CdTe thin film #Spectroscopic ellipsomerty #Dielectric function

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/ 1978 / Hot wall epitaxy google schola / 1984 / Ellipsometric studies of electronic interband transitions in CdxHg1-xTe : 6752 ~ google schola / 1986 / oriented GaAs by molecular beam epitaxy : 1273 ~ google schola / 1987 / Ellipsometric studies on zinc sulfide thin films grown by atomic layer epitaxy google schola / 1989 / Growth of CdTe on GaAs by hot-wall epitaxy and its stress relaxation : 2073 ~ google schola

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