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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
저널정보
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 한국결정성장학회지 제16권 제5호
발행연도
2006.1
수록면
189 - 197 (9page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2006

Hot wall epitaxy(HWE)법에 의한 AgGaSe2 단결정 박막 성장과 열처리 효과
백승남 ,  홍광준 ,  김장복 한국결정성장학회지 2006.01 학술저널

2003

Hot Wall Epitaxy (HWE) 방법에 의한 CuGaTe2 단결정 박막 성장과 광전류 특성
백승남 ,  홍광준 한국재료학회 학술발표대회 2003.01 학술대회자료

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AgGaSe2 단결정 박막을 수평 전기로에서 합성한 AgGaSe2 다결정을 증발원으로하여, hot wall epitaxy(HWE) 방법으로 증발원과 기판(반절연성-GaAs(100))의 온도를 각각 630oC, 420oC로 고정하여 성장하였다. 이때 단결정 박막의 결정성은 광발광 스펙트럼과 이중결정 X-선 요동곡선(DCRC) 으로 부터 구하였다. AgGaSe2의 광흡수 스펙트럼으로부터 구한 온도에 의존하는 에너지 밴드갭 Eg(T)는 Varshni 공식에 fitting한 결과 Eg(T) = 1.9501 eV - (8.79 × 10-4 eV/K)T2/(T + 250 K)를 잘 만족하였다. 성장된 AgGaSe2 단결정 박막을 Ag, Ga, Se 분위기에서 각각 열처리하여 10 K에서 photoluminescience (PL) spectrum을 측정하여 점 결함의 기원을 알아보았다. PL 측정으로 부터 얻어진 VAg, VSe, Agint, 그리고 Seint는 주개와 받개로 분류되어졌다. AgGaSe2 단결정 박막을 Ag 분위기에서 열처리하면 p형으로 변환됨을 알 수 있었다. 또한, Ga 분위기에서 열처리하면 열처리 이전의 PL 스펙트럼을 보이고 있어서, AgGaSe2 단결정 박막에서 Ga은 안정된 결합의 형태로 있기 때문에 자연 결함의 형성에는 관련이 없음을 알았다.
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/ 1967 / ？Far-infrared optical absorption of Fe2+ in ZnSe? Physica 34 google schola A / 1971 / ？The band structure of AgGaSe2 calculated by the pseudopotential method? J google schola A / 1987 / ？Growth by directional freezing of AgGaSe2 and diffused homojunctions in bulk material? J google schola B.D. Cullity / 1985 / Elements of X-ray Diffractions chap google schola Boy / 1971 / ？Luminescence and impurity states in AgGaS2? J google schola

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