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논문 기본 정보

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학술저널
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저널정보
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 한국결정성장학회지 제15권 제6호
발행연도
2005.1
수록면
252 - 259 (8page)

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CuGaSe2 단결정 박막은 수평 전기로에서 합성한 CuGaSe2 다결정을 증발원으로하여, hot wall epitaxy(HWE) 방법으로 증발원과 기판(반절연성 GaAs(100))의 온도를 각각 610oC, 450oC로 고정하여 단결정 박막을 성장하였다. 이때 단결정 박막의 결정성은 광발광 스펙트럼(PL)과 이중결정 X-선 요동곡선 (DCRC)으로 부터 구하였다. Hall 효과는 Van der Pauw 방법에 의해 측정되었으며, 293 K에서 운반자 농도와 이동도는 각각 4.87×1017/cm3, 129 cm2/V·s였다. n-CdS/p-CuGaSe2 이종접합 태양전지에 80 mW/cm2의 광을 조사시켜 최대 출력점에서 전압은 0.41 V, 전류밀도는 21.8 mA/cm2였고, fill factor는 0.75 그리고 태양전지 전력변환 효율은 11.17 % 였다.

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