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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
홍광준 (조선대학교 물리학과)
저널정보
한국결정학회 한국결정학회지 한국결정학회지 제9권 제2호
발행연도
1998.1
수록면
96 - 106 (11page)

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이 논문의 연구 히스토리 (15)

2007

Hot Wall Epitaxy (HWE)법에 의한 ZnIn2S4 단결정 박막 성장과 가전자대 갈라짐에 대한 광전류 연구
홍광준 센서학회지 2007.01 학술저널
Hot Wall Epitaxy(HWE)법에 의한 CdGa2Se4 단결정 박막의 성장과 가전자대 갈라림에 대한 광전류 연구
홍광준 ,  박창선 한국결정성장학회지 2007.01 학술저널

2006

Hot Wall Epitaxy(HWE)법에 의한 AgGaSe2 단결정 박막 성장과 가전자대 갈라짐에 대한 광전류 연구
홍광준 ,  이관교 센서학회지 2006.01 학술저널

2004

Hot Wall Epitaxy(HWE)법에 의한 CuInSe2 단결정 박막 성장과 가전자대 갈라짐에 대한 광전류 연구
홍광준 ,  홍명석 한국결정성장학회지 2004.01 학술저널

2003

태양전지용 CuGaSe₂ 단결정 박막 성장과 열처리 효과
홍광준 ,  유상하 한국태양에너지학회 논문집 2003.06 학술저널
Hot wall epitaxy에 의해 성장된 HgCdTe 에피레이어의 광전기적특성
홍광준 한국재료학회 학술발표대회 2003.01 학술대회자료

2002

태양 전지 개발을 위한 CdGa₂Se₄ 단결정 박막 성장과 특성
홍광준 한국태양에너지학회 학술대회논문집 2002.05 학술대회자료
Hot Wall Epitaxy법에 의한 태양전지개발용 $CuInSe_2$ 단결정박막 성장과 광전기적 특성
홍광준 한국결정학회 학술연구발표회 2002.01 학술대회자료

2001

태양 전지 개발을 위한 CuGaSe₂ 단결정 박막성장과 특성에 관한 연구
홍광준 ,  이상열 ,  유상하 외 6명 한국태양에너지학회 학술대회논문집 2001.05 학술대회자료
태양전지 개발을 위한 CuInSe₂ 단결정 박막 성장과 특성
홍광준 ,  이상열 ,  유상하 외 6명 한국태양에너지학회 학술대회논문집 2001.05 학술대회자료
Hot Wall Epitaxy (HWE)법에 의한 AgGa$Se_2$ 단결정 박막 성장과 특성
홍광준 ,  이관교 ,  박진성 한국재료학회지 2001.01 학술저널
HOt Wall Epitaxy (HWE)에 의한 $CdGa_2Se_4$ 단결정 박막 성장과 광학적 특성
홍광준 ,  박창선 한국결정학회 학술연구발표회 2001.01 학술대회자료

2000

Hot Wall Epitaxy(HWE) 방법에 의한 $CuInTe_2$ 단결정 박막 성장과 특성에 관한 연구
홍광준 ,  이관교 ,  이상열 외 6명 한국결정학회지 2000.01 학술저널
HWE 방법으로 성장한 $CuGaSe_2$단결정 박막의 광학적 특성
홍광준 한국결정학회 학술연구발표회 2000.01 학술대회자료

1998

Hot Wall Epitaxy(HWE) 방법에 의한 $AgInS_2$ 단결정 박막 성장과 광전도 특성
홍광준 한국결정학회지 1998.01 학술저널

초록· 키워드

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수평 전기로에서 AgInS2 다결정을 합성하여 HWE 방법으로 AgInS2 단결정 박막을 반절연성 GaAs(100) 위에 성장하였다. AgInS2 단결정 박막은 증발원과 기판의 온도를 각각 680℃, 410℃로 성장하였다. 이때 단결정 박막의 결정성이 10 K에서 측정한 광발광 스펙트럼은 597.8 nm(2.0741 eV) 근처에서 엑시톤 방출 스펙트럼이 가장 강하게 나타났으며, 또한 이중결정 X-선 요동곡선(DCRC)의 반폭치(FWHM)도 121 arcsec로 가장 작게 측정되어 최적 성장 조건임을 알 수 있었다. Hall 효과는 van der Pauw 방법에 의해 측정되었으며, 온도에 의존하는 운반자 농도와 이동도는 293 K에서 각각 9.35×1023개/㎥, 2.94×10-2㎡/V·s였다. AgInS2 단결정 박막의 광전류 단파장대 봉우리들로부터 10 K에서 측정된 ΔCr(crystal field splitting)은 0.15eV, ΔSo(spin orbit coupling)는 0.0089 eV였다. 광전도 셀로서 응용성을 알아보기 위해 감도(γ), pc/dc(photocurrent/darkcurrent), 최대허용소비전력(maximum allowable power dissipation: MAPD), 응답시간(response time)등을 측정한 결과, S 증기 분위기에 열처리한 광전도 셀의 경우 γ=0.98, pc/dc=1.02×106, MAPD=312 mW, 오름시간(rise time)=10.4 ms, 내림시간(decay time)=10.8 ms로 가장 좋은 특성을 얻었다.

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