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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2017.1
- 수록면
- 282 - 288 (7page)
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본 논문에서는 광전 음극 이미지 센서로 사용될 수 있는 광소자용 재료로 III-V 족 화합물 반도체인 GaAs/ AlGaAs 다층 구조를 LPE(Liquid Phase Epitaxy) 방법에 의해 성장하였다. n형 GaAs 기판 위에 수십 nm의 GaAs 완충층을형성 한 후 Zn가 도핑된 p-AlGaAs 에칭 정지 층(etching stop layer)과 Zn가 도핑된 p-GaAs 층 그리고 Zn가 도핑된 p- AlGaAs 층을 성장하였다. 성장된 시료의 특성을 조사하기 위하여 주사전자현미경(SEM)과 이차이온질량분석기(SIMS) 그리고 홀(Hall) 측정 장치 등을 이용하여 GaAs/AlGaAs 다층 구조를 분석하였다. 그 결과 1.25mm× 25 mm의 성장 기판에서거울면(mirror surface)을 가지는 p-AlGaAs/p-GaAs/p-AlGaAs 다층 구조를 확인할 수 있었으며, Al 조성은 80 %로 측정 되었다. 또한 p-GaAs층의 캐리어 농도는 8 × 10 18 /cm 2 범위까지 조절할 수 있음을 확인하였다. 이 결과로부터 LPE 방법에 의해성장된 p-AlGaAs/p-GaAs/AlGaAs 다층 구조는 광전 음극 이미지 센서의 소자로서 이용될 수 있을 것으로 기대한다.
1. 서 론최근 반도체를
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A. Roshko / 2003 / X-ray diffraction, photoluminescence and composition standards of compound semiconductors / Phys. Status Solidi C 3 : 992 ~
D. C. Fu / 2002 / XRD characterization of the MBE grown Si : GaAs, GaAs, AlGaAs, and InGaAs epilayer / IEEE International Conference on Semiconductor Electronics, Proceedings, ICS
D. J. Carrad / 2013 / The effect of (NH4)2Sx passivation on the (311)AlGaAs surface and its use in AlGaAs/GaAs heterostructure devices / J. Phys. -Condens. Mat. 25 : 335304
D. Xiaojun / 2016 / Photoemission characteristics of graded band-gap AlGaAs/GaAs wire photocathode / Opt. Comm. 367 : 149 ~
J. B. Shim / 1995 / Improved single crystal growth methods for oxide materials by MBE, LPE and μ-PD techniques / Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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