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논문 기본 정보

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저널정보
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 한국결정성장학회지 제15권 제1호
발행연도
2005.1
수록면
1 - 9 (9page)

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AgGaS2 단결정 박막을 수평 전기로에서 합성한 AgGaS2 다결정을 증발원으로하여, hot wall epitaxy(HWE) 방법으로 증발원과 기판(반절연성-GaAs(100))의 온도를 각각 590oC, 440oC로 고정하여 성장하였다. 이때 단결정 박막의 결정성은 광발광 스펙트럼과 이중결정 X-선 요동곡선(DCRC) 으로 부터 구하였다. AgGaS2의 광흡수 스펙트럼으로부터 구한 온도에 의존하는 에너지 밴드갭 Eg(T)는 Varshni 공식에 fitting한 결과 Eg(T) = 2.7284 eV - (8.695×10-4 eV/K)T2/(T + 332 K)를 잘 만족하였다. 성장된 AgGaS2 단결정 박막을 Ag, Ga, S 분위기에서 각각 열처리하여 10 K에서 photoluminescience(PL) spectrum을 측정하여 점 결함의 기원을 알아보았다. PL 측정으로 부터 얻어진 VAg, VS, Agint, 그리고 Sint는 주개와 받개로 분류되어졌다. AgGaS2 단결정 박막을 Ag 분위기에서 열처리하면 n형으로 변환됨을 알 수 있었다. 또한, Ga 분위기에서 열처리하면 열처리 이전의 PL 스펙트럼을 보이고 있어서, AgGaS2 단결정 박막에서 Ga은 안정된 결합의 형태로 있기 때문에 자연 결함의 형성에는 관련이 없음을 알았다.
#Point defect #Hot wall epitaxy #Single crystal thin film #Thermal annealing #Photoluminescence

목차

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참고문헌 (3)

참고문헌 신청
/ 1960 / Photoconductivity of Solids : 130 ~ google schola / 1971 / Optical Process in Semiconductors : 36 ~ google schola / 1985 / Elements of X-ray Diffractions 11. google schola

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