태양 전지 개발을 위한 CuGaSe₂ 단결정 박막성장과 특성에 관한 연구

홍광준; 이상열; 유상하; 정준우; 백형원; 진윤미; 김소형; 문종대; 김혜숙

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자료유형: 학술대회자료

저자정보: 홍광준 이상열 유상하 정준우 백형원 진윤미 김소형 문종대 김혜숙

저널정보: 한국태양에너지학회 한국태양에너지학회 학술대회논문집 한국태양에너지학회 2001 춘계학술발표대회 논문집

발행연도: 2001.5

수록면: 160 - 173 (14page)

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연구결과

이 논문의 연구 히스토리 (15)

2007

Hot Wall Epitaxy (HWE)법에 의한 ZnIn2S4 단결정 박막 성장과 가전자대 갈라짐에 대한 광전류 연구

홍광준 센서학회지 2007.01 학술저널

Hot Wall Epitaxy(HWE)법에 의한 CdGa2Se4 단결정 박막의 성장과 가전자대 갈라림에 대한 광전류 연구

홍광준 , 박창선 한국결정성장학회지 2007.01 학술저널

2006

Hot Wall Epitaxy(HWE)법에 의한 AgGaSe2 단결정 박막 성장과 가전자대 갈라짐에 대한 광전류 연구

홍광준 , 이관교 센서학회지 2006.01 학술저널

2004

Hot Wall Epitaxy(HWE)법에 의한 CuInSe2 단결정 박막 성장과 가전자대 갈라짐에 대한 광전류 연구

홍광준 , 홍명석 한국결정성장학회지 2004.01 학술저널

2003

태양전지용 CuGaSe₂ 단결정 박막 성장과 열처리 효과

홍광준 , 유상하 한국태양에너지학회 논문집 2003.06 학술저널

Hot wall epitaxy에 의해 성장된 HgCdTe 에피레이어의 광전기적특성

홍광준 한국재료학회 학술발표대회 2003.01 학술대회자료

2002

태양 전지 개발을 위한 CdGa₂Se₄ 단결정 박막 성장과 특성

홍광준 한국태양에너지학회 학술대회논문집 2002.05 학술대회자료

Hot Wall Epitaxy법에 의한 태양전지개발용 $CuInSe_2$ 단결정박막 성장과 광전기적 특성

홍광준 한국결정학회 학술연구발표회 2002.01 학술대회자료

2001

태양 전지 개발을 위한 CuGaSe₂ 단결정 박막성장과 특성에 관한 연구

홍광준 , 이상열 , 유상하 외 6명 한국태양에너지학회 학술대회논문집 2001.05 학술대회자료

태양전지 개발을 위한 CuInSe₂ 단결정 박막 성장과 특성

홍광준 , 이상열 , 유상하 외 6명 한국태양에너지학회 학술대회논문집 2001.05 학술대회자료

Hot Wall Epitaxy (HWE)법에 의한 AgGa$Se_2$ 단결정 박막 성장과 특성

홍광준 , 이관교 , 박진성 한국재료학회지 2001.01 학술저널

HOt Wall Epitaxy (HWE)에 의한 $CdGa_2Se_4$ 단결정 박막 성장과 광학적 특성

홍광준 , 박창선 한국결정학회 학술연구발표회 2001.01 학술대회자료

2000

Hot Wall Epitaxy(HWE) 방법에 의한 $CuInTe_2$ 단결정 박막 성장과 특성에 관한 연구

홍광준 , 이관교 , 이상열 외 6명 한국결정학회지 2000.01 학술저널

HWE 방법으로 성장한 $CuGaSe_2$단결정 박막의 광학적 특성

홍광준 한국결정학회 학술연구발표회 2000.01 학술대회자료

1998

Hot Wall Epitaxy(HWE) 방법에 의한 $AgInS_2$ 단결정 박막 성장과 광전도 특성

홍광준 한국결정학회지 1998.01 학술저널

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The stochiometric mixture of evaporating materials for the CuGaSe₂ single crystal thin films were prepared from horizontal furnace. Using extrapolation method of X-ray diffraction patterns for the polycrystal CuGaSe₂ it was found tetragonal structure whose lattice constant a_0 and c_0 were 5.615Å and 11.025Å, respectively. To obtains the single crystal thin films, CuGaSe₂ mixed crystal was deposited on throughly etched GaAs(100) by the Hot Wall Epitaxy(HWE) system. The source and substrate temperature were 610℃ and 450℃ respectively, and the growth rate of the single crystal thin films was about 0.5㎛/h. The crystalline structure of single crystal thin films was investigated by the double crystal X-ray diffraction(DCXD). Hall effect on this sample was measured by the method of van der pauw and studied on carrier density and mobility depending on temperature. From Hall data, the mobility was likely to be decreased by pizoelectric scattering in the temperature range 30K to 150K and by polar optical scattering in the temperature range 150K to 293K. The optical energy gaps were found to be 1.68eV for CuGaSe₂ single crystal thin films at room temperature. The temperature dependence of the photocurrent peak energy is well explained by the Varshni equation then the constants in the Varshni equation are given by α=9.615×10-⁴eV/K, and β=335K. From the photocurrent spectra by illumination of polarized light of the CuGaSe₂ single crystal thin films.

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