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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2003.6
- 수록면
- 59 - 70 (12page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (15)
2007
2004
2003
2002
2001
태양 전지 개발을 위한 CuGaSe₂ 단결정 박막성장과 특성에 관한 연구
홍광준
,
이상열
,
유상하
외 6명
한국태양에너지학회 학술대회논문집
2001.05
학술대회자료
태양전지 개발을 위한 CuInSe₂ 단결정 박막 성장과 특성
홍광준
,
이상열
,
유상하
외 6명
한국태양에너지학회 학술대회논문집
2001.05
학술대회자료
Hot Wall Epitaxy (HWE)법에 의한 AgGa$Se_2$ 단결정 박막 성장과 특성
홍광준
,
이관교
,
박진성
한국재료학회지
2001.01
학술저널
HOt Wall Epitaxy (HWE)에 의한 $CdGa_2Se_4$ 단결정 박막 성장과 광학적 특성
홍광준
,
박창선
한국결정학회 학술연구발표회
2001.01
학술대회자료
2000
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A stoichiometric mixture of evaporating materials for CuGaSe₂ single crystal thin films was prepared from horizontal electric furnace. Using extrapolation method of X-ray diffraction patterns for the polycryst al CuGaSe₂, it was found tetragonal structure whose lattice constant a_0 and c_0 were 5.615 A and 11.025 A, respectively. To obtain the single cryst al thin films , CuGaSe₂ mixed cryst al was deposited on thoroughly etched semi-insulating GaAs(100) substrate by the hot wall epitaxy (HWE) system. The source and substrate temperatures were 610℃ and 450℃ , respectively. The cryst alline structure of thesingle cryst al thin films was investigated by the photoluminescence and double crystal X-ray diffraction (DCXD) . The carrier density and mobility of CuGaSe₂ single crystal thin films measured with Hall effect by van der Pauw method are 5.01×10^17 cm-³ and 245 cm²/V·sat 293 K, respectively. The temperature dependence of the energy band gap of the CuGaSe₂ obtained from the absorption spectra was well described by the Varshni's relation, E_g(T) = 1.7998 eV-(8.7489×10-⁴eV/K)T²/(T+335K). After the as-grown CuGaSe₂ single cryst al thin films was annealed in Cu-, Se-, and Ga- atmospheres, the origin of point defects of CuGaSe₂ single crystal thin films has been investigated by the photoluminescence(PL) at 10K. The native defects of V_cu , V_se , Cu_int, and Se_int obtained by PL measurements were classified as a donors or acceptors type. And we concluded that the heat-treatment in the Cu-atmosphere converted CuGaSe₂ single crystal thin films to an optical n-type. Also, we confirmed that Ga in CuGaSe₂/GaAs did not form the native defects because Ga in CuGaSe₂ single crystal thin films existed in the form of stable bonds.
목차
Abstract
1. 서론
2. 실험 및 측정
3. 실험 결과 및 고찰
4. 결론
감사의 글
참고문헌
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