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논문 기본 정보

자료유형
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저자정보
저널정보
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징학회지 마이크로전자 및 패키징학회지 제13권 제4호
발행연도
2006.1
수록면
77 - 84 (8page)

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도금전류밀도와 도금액 온도에 따른 비시안계 Au 범프의 표면 거칠기 및 웨이퍼 레벨에서 Au 범프의 높이 분포도를 분석하였다. 3mA/cm2와 5mA/cm2에서 도금한 Au 범프는 40℃와 60℃의 도금액 온도에 무관하게 80~100nm의 낮은 표면 거칠기를 나타내었다. 8mA/cm2로 도금시 40℃에서 도금한 Au 범프는 표면 거칠기가 800nm 정도로 크게 증가하였으나, 60℃에서 형성한 Au 범프는 80~100nm의 표면 거칠기를 나타내었다. 도금전류밀도가 3mA/cm2에서 8mA/cm2로 증가함에 따라 웨이퍼 레벨에서 Au 범프의 높이 편차가 증가하였으며, 도금액 온도가 40℃보다 60℃일 때 웨이퍼 레벨에서 더 균일한 범프 높이의 분포도를 얻을 수 있었다.
#Gold bump #non-cyanide #electroplating #current density

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/ 1989 / Proc. of the 39th. Electronic. ComponentsConference : 45 ~ 49 google schola / 1994 / The mechanics of solder alloy interconnects : 74 ~ google schola / 1996 / Flip chip technologies : 25 ~ google schola / 1997 / Electrodeposition of soft gold from a thiosulfate-sulfite bath for electronics applications 144 (3462) google schola / 1998 / Chip on glass-interconnect for row/column driver packaging 29 : 343 ~ 349 google schola

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