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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징학회지 마이크로전자 및 패키징학회지 제15권 제3호
발행연도
2008.1
수록면
9 - 17 (9page)

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전기도금법으로 Cu 머쉬룸 범프를 형성하고 Sn 기판 패드에 플립칩 본딩하여 Cu 머쉬룸 범프 접속부를 형성하였으며, 이의 접속저항을 Sn planar 범프 접속부와 비교하였다. 19.1~95.2 MPa 범위의 본딩응력으로 형성한 Cu 머쉬룸 범프 접속부는 15 mΩ/bump의 평균 접속저항을 나타내었다. Cu 머쉬룸 범프 접속부는 Sn planar 범프 접속부에 비해 더 우수한 접속저항 특성을 나타내었다. 캡 표면에 1~w4 μm 두께의 Sn 코팅층을 전기도금한 Cu 머쉬룸 범프 접속부의 접속저항은 Sn 코팅층의 두께에 무관하였으나, 캡 표면의 Sn 코팅층을 리플로우 처리한 Cu 머쉬룸 범프 접속부에서는 접속저항이 Sn 코팅층의 두께와 리플로우 시간에 크게 의존하였다.
#Flip chip #Mushroom bump #NCA #electrodeposition #contact resistance

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참고문헌 (27)

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/ / JEDEC Specification, Coplanarity Test for Surface- Mount Semiconductor Devices, JESD22-B108A google schola / / www.chemicool.com google schola American Society for Metals / 1969 / Metals Handbook : Properties and Selection of Metals, Vol.1, 8th google schola C. W. Ju / 2003 / A flip chip packaged limiting amplifier with data rate of 10 Gb/s / J. Korean Phys. Soc 42 : 574 ~ 578 google schola C. W. Tan / 2003 / Behaviour of anisotropic conductive joints under mechanical loading / Microelectron. Reliab 43 : 279 ~ 285 google schola

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