급속 열처리 방법에 의한 Sn 솔더 범프의 리플로와 금속간 화합물 형성

양주헌; 조해영; 김영호

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자료유형: 학술저널

저자정보: 양주헌 조해영 김영호

저널정보: 한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징학회지 마이크로전자 및 패키징학회지 제15권 제4호

발행연도: 2008.1

수록면: 1 - 7 (7page)

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본 실험에서는 두 가지 리플로 시스템에 따라 솔더 범프 내에 생성되는 금속간 화합물의 성장 거동에 대하여 연구하였다. 산화막이 증착된 Si 기판 위에 직류 마그네트론 스퍼터링을 이용하여 Ti (50 nm), Cu (1 μm), Au (50 nm), Ti (50 nm)의 박막을 형성한 후, 전해 도금을 이용하여 5 μm 두께의 Cu 범 프와 20 μm 두께의 Sn 범프를 형성하였다. 급속열처리장치(RTA)와 일반 리플로를 이용하여 전해 도금 으로 형성된 Sn (20 μm)/ Cu (5 μm) 범프를 동일한 온도에서 각각 리플로 공정을 진행한 결과, 급속열처 리장치를 이용하여 리플로를 할 때, 플럭스를 사용하지 않고 범프로 형성할 수 있었으며, 솔더 계면에 형 성된 금속간 화합물이 일반 리플로의 경우보다 더 얇게 형성되었다.

#Rapid thermal annealing #RTA) system #Convection reflow oven #Intermetallic compound #IMC)

참고문헌 (14)

참고문헌 신청

C. B. LEE / 2002 / Effect of isothermal aging on ball shear strength in BGA joints with Sn-3.5Ag-0.75Cu solder / Material Transactions 43 : 1858 ~

D. Bollmann / 1997 / Three-dimensional metallization for vertically integrated circuits / Microelectronic Engineering : 39 ~ 47

G. Feng / 2005 / Through-Wafer Via Technology for 3-D Packaging / 6th International Conference on Electronic Packaging Technology : 57 ~ 60

H. Kanbach / 2000 / 3D Si-on-Si stack packaging,Soldering & Surface Mount Technology / Soldering & Surface Mount Technology 12 (1) : 35 ~ 39

J.H.L. Pang / 2001 / Thermal cycling analysis of flip chip solder joint reliability / IEEE transactions on components packaging and manufacturing technology 24 : 705 ~

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