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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
저널정보
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징학회지 마이크로전자 및 패키징학회지 제15권 제4호
발행연도
2008.1
수록면
9 - 15 (7page)

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Au와 Sn을 순차적으로 도금한 Au/Sn 범프를 플립칩 본딩하여 Au-Sn 솔더 접속부를 형성 후, 미세구조와 접속저항을 분석하였다. 285oC에서 30초간 플립칩 본딩한 Au-Sn 솔더 접속부는 Au5Sn+AuSn lamellar 구조로 이루어져 있으며, 이 시편을 310oC에서 3분간 유지하여 2차 리플로우시 Au5Sn+AuSn interlamellar spacing이 증가하였다. 285oC에서 30초간 플립칩 본딩한 Au-Sn 접속부는 15.6 mΩ/bump의 평균 접속저항을 나타내었으며, 이 시편을 다시 310oC에서 3분간 유지하여 2차 리플로우 한 Au-Sn 접속부는 15.0 mΩ/bump의 평균 접속저항을 나타내었다.
#Au-Sn #flip chip #contact resistance #electrodeposition

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/ / www.allmeasures.com google schola C. C. Kao / 2005 / Light-output enhancement in a nitride-based light-emitting diode with 22o undercut sidewall / IEEE Photon Technol. Lett 17 : 19 ~ 21 google schola C. Y. Yin / 2003 / The effect of reflow process on the contact resistance and reliability of anisotropic conductive film interconnection for flip chip on flex applications / google schola D. A. Zakheim / 2004 / High-power flip-chip blue light-emitting diodes bas on AlGa-In N / Phys. Stat. Sol 1 : 2401 ~ 2404 google schola D. K. Schroder / 1998 / Semiconductor material and device characterization / John Wiley & Sons, Inc. : 10 ~ google schola

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