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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징학회지 마이크로전자 및 패키징학회지 제13권 제4호
발행연도
2006.1
수록면
37 - 44 (8page)

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플립칩 공정에 Sn 범프를 적용하기 위해 도금전류밀도와 전류모드에 따른 Sn 도금막의 표면 거칠기와 경도를 측정하였다. 전류밀도 5~50mA/cm2에서 전기도금한 Sn 도금막은 2.0~2.4㎛의 표면 거칠기를 나타내었으며, 직류모드보다 펄스모드로 형성한 Sn 도금막에서 표면 거칠기가 감소하였다. 할로겐 램프를 사용하여 300℃에서 3초간 유지하는 표면 열처리에 의해 Sn 도금의 표면 거칠기가 1㎛ 정도로 현저히 저하되었다. 전류밀도 5~50mA/cm2에서 전기도금한 Sn 도금막은 10 Hv의 경도를 나타내었다. Sn 범프들을 이용하여 플립칩 본딩한 시편들은 33~17mΩ의 낮은 접속저항을 나타내었다.
#Flip chip #COG #Sn bump #electrodeposition #contact resistance

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/ / www.dynatronix.com/overview.htm google schola / 1996 / Flip Chip Technologies : 25 ~ google schola / 1996 / Flip Chip Technologies : 425 ~ google schola / 2000 / Modern Electroplating : 241 ~ google schola

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