Cu 범프와 Sn 범프의 접속구조를 이용한 RF 패키지용 플립칩 공정

최정열; 오태성; 김민영; 임수겸

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자료유형: 학술저널

저자정보: 최정열 오태성 김민영 임수겸

저널정보: 한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징학회지 마이크로전자 및 패키징학회지 제16권 제3호

발행연도: 2009.1

수록면: 67 - 73 (7page)

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Cu pillar 범프를 사용한 플립칩 접속부는 솔더범프 접속부에 비해 칩과 기판 사이의 거리를 감소시키지 않 으면서 미세피치 접속이 가능하기 때문에, 특히 기생 캐패시턴스를 억제하기 위해 칩과 기판 사이의 큰 거리가 요구되는 RF 패키지에서 유용한 칩 접속공정이다. 본 논문에서는 칩에는 Cu pillar 범프, 기판에는 Sn 범프를 전기도금하고 이들을 플립칩 본딩하여 Cu pillar 범프 접속부를 형성한 후, Sn 전기도금 범프의 높이에 따른 Cu pillar 범프 접속부의 접속저항 과 칩 전단하중을 측정하였다. 전기도금한 Sn 범프의 높이를 5 μm에서 30 μm로 증가시킴에 따라 Cu pillar 범프 접속부 의 접속저항이 31.7 mΩ에서 13.8 mΩ로 향상되었으며, 칩 전단하중이 3.8 N에서 6.8 N으로 증가하였다. 반면에 접속부 의 종횡비는 1.3에서 0.9로 저하하였으며, 접속부의 종횡비, 접속저항 및 칩 전단하중의 변화거동으로부터 Sn 전기도금 범프의 최적 높이는 20 μm로 판단되었다.

#Cu pillar bump #Sn bump #flip chip #contact resistance #chip shear force

참고문헌 (19)

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A. Chandrasekhar / 2004 / Accurate RF Electrical Characterization of CSPs Using MCM-D Thin Film Technology / IEEE Trans. Adv. Packag. 27 (1) : 203 ~ 212

A. Keigler / 2006 / Pattern Effects on Electroplated Copper Pillars / Proc. Inter. Wafer-level Packag. Conf.

C. W. Tan / 2003 / Effect of Autoclave Test on Anisotropic Conductive Joints / Microelectron. Reliab. 43 : 279 ~ 285

E. Beyne / 2003 / Multilayer Thin-film Technology Enabling Technology for Solving High-density Interconnect and Assembly Problems / Nuclear Inst. Methods Phys. Res. A 509 : 1

G. T. Lim / 2009 / Temperature Effect on Intermetallic Compound Growth Kinetics of Cu Pillar/Sn Bumps / J. Electron. Mater.

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