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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
저널정보
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징학회지 마이크로전자 및 패키징학회지 제14권 제4호
발행연도
2007.1
수록면
15 - 20 (6page)

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시효처리에 따른 Cu pillar 범프 내 다양한 계면에서의 금속간화합물 성장거동을 각각 120, 150, 165℃의 온도에서 300시간동안 시효처리하면서 연구하였다. 분석 결과 Cu pillar와 SnPb 계면에서 는 Cu6Sn5와 Cu3Sn이 관찰되었고, 시효처리 시간이 경과함에 따라 parabolic 형태로 성장하였다. 또한 시 효처리 온도가 높을수록 시간에 따른 Cu6Sn5와 Cu3Sn의 성장속도는 더욱 빨랐다. Kirkendall void는 Cu pillar와 Cu3Sn사이의 계면과 Cu3Sn 내부에서 형성되었고, 시효처리 시간이 경과함에 따라 성장하였다. 리플로우 후에 SnPb와 Ni(P)사이의 계면에서는 (Cu,Ni)6Sn5가 형성되었고, 시효처리 시간에 따른 (Cu,Ni)6Sn5의 두께 변화는 관찰되지 않았다. 시효처리 온도와 시간에 따른 금속간화합물의 두께 변화를 이용하여 전체(Cu6Sn5 + Cu3Sn)금속간화합물과 Cu6Sn5, Cu3Sn 금속간화합물의 성장에 대한 활성화 에너 지를 구해본 결과 각각 1.53, 1.84, 0.81 eV의 값을 가지고 있었다.
#Intermetallic compound #Growth kinetics #Cu pillar bump #Kirkendall void #Activation energy

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참고문헌 (17)

참고문헌 신청
/ 1993 / Cu-Sn Intermetallic compound growth in hot-air-leveled tin at and below 100C AMP Journal of Technology 3 : 46 ~ 54 google schola / 1994 / Microstructure evolution of eutectic Sn-Ag solder joints 23 : 765 ~ 772 google schola / 1998 / Advanced copper column based solder bump for flip chip interconnection 21 (1) : 15 ~ google schola / 2000 / International technology Roadmap for semiconductors 1999 Edition google schola / 2002 / Predicting optimal process conditions for flip-chip assembly using copper column bumped dies : 338 ~ 343 google schola

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