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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징학회지 마이크로전자 및 패키징학회지 제11권 제4호
발행연도
2004.1
수록면
43 - 48 (6page)

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상부 칩과 하부 기판이 모두 Si으로 구성되어 있는 플립칩 패키지 시편을 제조하여 130~160oC의 온도 범위에서 3~4×104 A/cm2의 전류밀도를 가하여 주면서 플립칩 본딩된 Sn-3.5Ag-0.5Cu 솔더범프의 electromigration 거동을 분석하였다. Sn-3.5Ag-0.5Cu 솔더범프의 cathode로부터 anode로의 electromigration에 의해 Cu UBM이 완전히 소모되어 cathode 부위에서 void가 형성됨으로써 파괴가 발생하였다. Sn-3.5Ag-0.5Cu 솔더범프의 electromigration에 대한 활성화 에너지는 3×104 A/cm2의 전류밀도에서는 0.61 eV, 3.5×104 A/cm2의 전류밀도에서는 0.63 eV, 4×104 A/cm2의 전류밀도에서는 0.77 eV로 측정되었다.
#Flip chip #Pb-free solder #Electromigration #Sn-3.5Ag-0.5Cu #Electronic packaging

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/ 2000 / Lead-free Solders in Microelectronics 27 : 95 ~ google schola / 2000 / Low Cost Flip Chip Technologies : 511 ~ google schola / 2000 / Morphology of interfacial reaction between lead-free solders and electroless Ni-P under bump metallization 88 : 6359 ~ google schola / 2001 / Effects of contact resistance and film thickness on current crowding and the critical product of electromigration in Blech structures 89 (6) : 3203 ~ google schola / 2001 / Electromigration of eutectic SnPb solder interconnects for flip chip technology 89 (6) : 3189 ~ google schola

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