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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2013.1
- 수록면
- 59 - 64 (6page)
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3차원 적층 패키지를 위한Cu/Ni/Au/Sn-Ag/Cu 미세 범프의 열처리에 따른 금속간 화합물 성장 거동을 분석하기 위하여 in-situ SEM에서 135oC, 150oC, 170oC의 온도에서 실시간 열처리 실험을 진행하였다. 실험 결과 금속간 화합물의 성장 거동은 열처리시간이 경과함에 따라 시간의 제곱근에 직선 형태로 증가하였고, 확산에 의한 성장이 지배적인것을 확인 할 수 있었다. Ni/Au 층의 존재로 인해 Au의 확산으로 복잡한 구조의 금속간 화합물이 생성 된 것을 확인 할수 있다. 활성화 에너지는 Cu3Sn의 경우 0.69eV, (Cu,Ni,Au)6Sn5경우 0.84 eV로 Ni이 포함된 금속간 화합물이 더 높은것을 확인 하였으며, 확산 방지층 역할을 하는 Ni층에 의해 금속간 화합물 성장이 억제됨에 따라 신뢰성이 향상 될 것으로 사료된다.
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참고문헌 (22)
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B. H. Lee / 2010 / A Study on the Bonding Process of Cu Bump/Sn/Cu Bump Bonding Structure for 3D Packaging Applications / J. Electrochem. Soc 157 : H420 ~
B. J. Kim / 2010 / Intermetallic Compound Growth and Reliability of Cu Pillar Bumps Under Current Stressing / J. Electron. Mater 39 : 2281 ~
C. W. Chang / 2006 / Kinetics of AuSn4 Migration in Lead-Free Solders / J. Elecron. Mater 35 : 11 ~
Eun-Jung Jang / 2011 / Annealing Temperature Effect on the Cu-Cu Bonding Energy for 3D-IC Integration / Metals and Materials International 17 (1) : 105 ~ 109
G. T. Lim / 2009 / Temperature Effect on Intermetallic Compound Growth Kinetics of Cu Pillar/Sn Bumps / J. Electron. Mater 38 : 2228 ~
B. J. Kim / 2010 / Intermetallic Compound Growth and Reliability of Cu Pillar Bumps Under Current Stressing / J. Electron. Mater 39 : 2281 ~
C. W. Chang / 2006 / Kinetics of AuSn4 Migration in Lead-Free Solders / J. Elecron. Mater 35 : 11 ~
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G. T. Lim / 2009 / Temperature Effect on Intermetallic Compound Growth Kinetics of Cu Pillar/Sn Bumps / J. Electron. Mater 38 : 2228 ~
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