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학술저널
저자정보
부성은 ([주]컴텍스) 정우철 ([주]컴텍스) 배남진 ([주]컴텍스) 권용범 ([주]컴텍스) 박세종 (경북대학교) 이정희 (경북대학교)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 한국반도체장비학회지 한국반도체장비학회지 제2권 제2호
발행연도
2003.1
수록면
5 - 8 (4page)

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In this study, as Cu diffusion barrier, tantalum nitrides were successfully deposited on Si(100) substrate and $SiO_2$ by plasma assisted atomic layer deposition(PAALD) and thermal ALD, using pentakis (ethylmethlyamino) tantalum (PEMAT) and NH$_3$ as precursors. The TaN films were deposited at $250^{\circ}C$ by both method. The growth rates of TaN films were 0.8${\AA}$/cycle for PAALD and 0.75${\AA}$/cycle for thermal ALD. TaN films by PAALD showed good surface morphology and excellent step coverage for the trench with an aspect ratio of h/w -1.8:0.12 mm but TaN films by thermal ALD showed bad step coverage for the same trench. The density for PAALD TaN was 11g/cmand one for thermal ALD TaN was 8.3g/$cm^3$. TaN films had 3 atomic % carbon impurity and 4 atomic % oxygen impurity for PAALD and 12 atomic % carbon impurity and 9 atomic % oxygen impurity for thermal ALD. The barrier failure for Cu(200 nm)/TaN(10 nm)/$SiO_2$(85 nm)/ Si structure was shown at temperature above $700^{\circ}C$ by XRD, Cu etch pit analysis.
#Diffusion barrier #PAALD #PEMAT #impurity #etch pit

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