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저자정보
도관우 (경북대학교 전자공학과) 김경민 (경북대학교 전자공학과) 양충모 (경북대학교 전자공학과) 박성근 (경북대학교 전자공학과) 나경일 (경북대학교 전자공학과) 이정희 (경북대학교 전자공학과) 이종현 (경북대학교 전자공학과)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 반도체및디스플레이장비학회지 반도체및디스플레이장비학회지 제4권 제2호
발행연도
2005.1
수록면
39 - 43 (5page)

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In the study, in order to deposit TaN thin film for diffusion barrier and bottom electrode we made the Plasma Assisted ALD equipment and confirmed the electrical characteristics of TaN thin films grown PAALD method. Plasma Assisted ALD equipment depositing TaN thin film using PEMAT(pentakis(ethylmethlyamino) tantalum) precursor and NH3 reaction gas is shown that TaN thin film deposited high density and amorphous phase with XRD measurement. The degree of diffusion and reaction taking place in Cu/TaN (deposited using 150W PAALD)/$SiO_{2}$/Si systems with increasing annealing temperature was estimated for MOS capacitor property and the $SiO_{2}$, (600${\AA}$)/Si system surface analysis by C-V measurement and secondary ion material spectrometer (SIMS) after Cu/TaN/$SiO_{2}$ (400 ${\AA}$) layer etching. TaN thin film deposited PAALD method diffusion barrier have a good diffusion barrier property up to 500$^{\circ}C$.
#Plasma Assisted ALD #Atomic Layer Deposition #TaN #diffusion barrier #copper electrode

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