메뉴 건너뛰기
.. 내서재 .. 알림
소속 기관/학교 인증
인증하면 논문, 학술자료 등을  무료로 열람할 수 있어요.
한국대학교, 누리자동차, 시립도서관 등 나의 기관을 확인해보세요
(국내 대학 90% 이상 구독 중)
로그인 회원가입 고객센터 ENG
주제분류
인문학
인문학 일반 역사학 철학 종교학 어문학 기타 인문학
사회과학
사회과학 일반 경영학 관광학 교육학 군사학 문헌정보학 법학 사회학 신문방송학 심리과학 정치외교학 지리학 행정학 경제학 무역학 인류학 기타 사회과학
자연과학
자연과학 일반 물리학 생물학 생활과학 수학·통계학 천문학 지구과학 화학 기타 자연과학
공학
공학 일반 건축공학 기계공학 산업공학 재료·에너지공학 전기전자공학 조선해양공학 화학공학 컴퓨터학 기타공학
의약학
의학 일반 간호학 수의학 약학 한의학 기초의학 임상의학 기타 의약학
농수해양학
농수해양학 일반 농학 수산학 식품과학 임학 축산학 해상운송학 기타 농수해양학
예술체육학
예술 일반 디자인 미술 미용 사진 음악학 의상 체육 공연매체예술 기타 예술체육학
복합학
학제간연구 과학기술학 뇌인지과학 기술정책 기타 복합학

ENG

추천
검색

논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제26권 제1호
발행연도
2013.1
수록면
1 - 5 (5page)

이용수

표지
📌
연구주제
📖
연구배경
🔬
연구방법
🏆
연구결과
AI에게 요청하기
추천
검색

초록· 키워드

오류제보하기
본 연구는 TaN의 건식 식각 특성을 연구한 논문이다. CF4/Ar 플라즈마에서의 TaN 박막의 공정 조건에 따른 식각 속도 변화와 박막 표면의 화학적 변화를 연구하였다. 이번 실험에서CF4/Ar=(50%:50%) 플라즈마에서 식각 속도가 높았으며, RF 전력과 직류 바이어스 전압이 높아질수록 식각 속도가 증가하고, 공정 압력이 증가할수록 식각 속도가 감소하는 것을 확인할 수 있었다. 또한 CF4/Ar 플라즈마 식각 후 x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) 분석을 실행하여, TaN 표면에서의 화학적인 반응을 알아보았다.
#TaN #ICP #XPS #Etch #CF4

목차

등록된 정보가 없습니다.

참고문헌 (9)

참고문헌 신청
A. M. Efremov / 2004 / / Vacuum 75 : 133 ~ google schola A. Vandooren / 2003 / / IEEE Elec. Dev. Lett 24 : 342 ~ google schola F. A. Khan / 1999 / / Appl. Phys. Lett 75 : 2268 ~ google schola F. A. Khan / 2005 / / Mat. Sci. Eng B118 : 201 ~ google schola H. Shimada / 2004 / / Jpn. J. Appl. Phys 43 : 1768 ~ google schola

이 논문의 저자 정보

최근 본 자료

전체보기

댓글(0)

0