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저자정보
도관우 (경북대학교 전자공학과) 김경민 (경북대학교 전자공학과) 양충모 (경북대학교 전자공학과) 박성근 (경북대학교 전자공학과) 나경일 (경북대학교 전자공학과) 이정희 (경북대학교 전자공학과) 이종현 (경북대학교 전자공학과)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회 한국반도체및디스플레이장비학회 2005년도 춘계 학술대회
발행연도
2005.1
수록면
139 - 145 (7page)

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In the study, in order to deposit TaN thin film using diffusion barrier and bottom electrode we made the Plasma Assisted ALD equipment and confirmed the electrical characteristic of TaN thin films deposited PAALD method, PAALD equipment depositing TaN thin film using PEMAT(pentakis(ethylmethlyamlno) tantalum) Precursor and $NH_3$ reaction gas is aware that TaN thin film deposited of high density and amorphous phase with XRD measurement The degree of diffusion and react ion taking place in Cu/TaN(deposited using 150 W PAALD)/$SiO_2$/Si systems with increasing annealing temperature was estimated from MOS capacitor property and the $SiO_2(600\;\AA)$/Si system surface analysis by C-V measurement and secondary ion material spectrometer(SIMS) after Cu/TaN/$SiO_2(400\;\AA)$ system etching. TaN thin film deposited PAALD method diffusion barrier have a good diffusion barrier property up to $500^{\circ}C$.
#원자층 증착 #확산 방지막 #구리 #Plasma Assisted ALD #Atonic layer deposition #TaN #diffusion barrier #copper

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