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저자정보
나경일 (경북대학교 대학원 센서공학과) 박세종 (삼성전자) 부성은 (경북대학교 전기전자공학부) 정우철 (경북대학교 전기전자공학부) 이정희
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회 한국반도체및디스플레이장비학회 2003년도 춘계학술대회 발표 논문집
발행연도
2003.1
수록면
106 - 111 (6page)

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Tantalum nitride(TaN) films were deposited by atomic layer deposition(ALD) and plasma assisted atomic layer deposition(PAALD). The deposition of the TaN thin film has been performed using pentakis (ethylmethlyamino) tantalum (PEMAT) and ammonia($NH_3$) as precursors at temperature of $250^{\circ}C$, where the temperature was proven to be ALD window for TaN deposition from our previous experiments. The PAALD deposited TaN film shows better physical properties than thermal ALD deposited TaN film, due to its higher density$(~11.59 g/\textrm{cm}^3$) and lower carbon(~ 3 atomic %) and oxygen(~ 4 atomic %) concentration of impurities.

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