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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국센서학회 센서학회지 센서학회지 제13권 제3호
발행연도
2004.1
수록면
195 - 198 (4page)

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For a diffusion barrier against Copper, tantalum nitride films have been deposited on SiO2 by atomic layer deposition(ALD), using PEMAT(Pentakis(ethylmethylamino)tantalum) and NH3 as precursors, Ar as purging gas. The depositionrate of TaN at substrate temperature 250oC was about 0.67 per one cycle. The stability of TaN films as a Cu difsionbarrier was tested by thermal annealing for 30 minutes in N2 ambient and characterized through XRD, sheet resistance,and C-V measurement(Cu(1000 )/TaN(50 )/SiO2(2000 )/Si capacitor fabricated), which prove the TaN film maintainsthe barrier properties Cu below 400oC.
#ALD #diffusion barrier #TaN #Tantalum Nitride)

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참고문헌 (2)

참고문헌 신청
M. Y. Kwak / 1999. / Characteristics of WN diffusion barrier layer for copper mentalization 174 : 5 ~ google schola Vee S. C. Len / 1999. / An investigation into the performance of diffusion barrier materials against copper diffusion using metaloxide-semiconductor(MOS) capacitor structures google schola

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