ICP Poly Etcher를 이용한 RF Power와 HBr Gas의 변화에 따른 Polysilicon의 건식식각

남상훈; 현재성; 부진효

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자료유형: 학술저널

저자정보: 남상훈 현재성 부진효

저널정보: 한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제15권 제6호

발행연도: 2006.11

수록면: 630 - 636 (7page)

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플래시 메모리 반도체의 고집적화와 고밀도화가 진행함에 따라 플래시 메모리의 트랜지스터 안 선폭을 중심으로 게이트 패턴의 미세화가 진행 중이다. 최근 100 ㎚ 이하의 선폭을 구현하기 위해서 ONO(oxide-nitride-oxide)를 사용하기 위한 연구가 개발 중이고, 이러한 100 ㎚ 이하의 미세 선폭으로 갈수록 식각 속도와 식각의 프로파일은 중요한 요인으로 작용하고 있다.
ICP 식각 장비를 이용하여, power를 50 W 증가 하였을 때, 각각 식각 속도와 포토레지스트와의 선택비를 확인한 결과 platen power를 100 W로 올렸을 경우 가장 좋은 결과를 나타내었다. 100 W에서 HBr 가스의 유량에 변화를 주었을 경우 가스의 양을 증가 할수록 식각 속도는 감소하였지만, 포토레지스트와의 선택비는 증가함을 보였다. 유도결합 플라즈마 식각 장비를 가지고 platen power를 100 W, HBr gas를 35 sccm 공급하여 하부 층에 노치가 형성이 안되고, 식각 속도 320 ㎚/min, 감광액과의 선택비 3.5:1, 측면식각 프로파일이 수직인 공정 조건을 찾았다.

#유도 결합 플라즈마 #식각 속도 #감광액 선택비 #Platen power #HBr 가스 #폴리 실리콘 #ICP #Etch rate #PR selectivity #HBr gas #Polysilicon

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