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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제6권 제4호
발행연도
1997.11
수록면
364 - 371 (8page)

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MERIE 플라즈마 장비를 사용하여 실리콘의 트렌치 식각을 HBr, He_O₂, SiF₄, CF₄ 등의 가스를 주입하여 수행하였으며 식각 속도, 식각 프로파일 변화, 잔류물 생성 및 표면 상태 등을 관찰하였다. HBr만을 이용한 플라즈마 식각시에는 트렌치 하부 영역에 상당한 횡방향 식각이 일어나 항아리 모양의 식각 프로파일이 관찰되었으며, HBr에 He-O₂ 가스와 SiF₄나 CF₄ 등의 주입량을 변화시켜 벽면 기울기와 횡방향 식각의 정도를 제어할 수 있었다. 표면 잔류물 특성 및 표면 거칠기(roughness) 등은 HBr/He-O₂/SiF₄ 가스를 동시에 주입하여 식각하였을 때 가장 양호한 식각 특성을 나타내었으며, 첨가 가스로 SiF₄를 이용함으로써 기존의 C-F계 플라즈마를 이용한 트렌치 식각 특성들보다 우수한 공정 결과를 얻었다. 또한 SiF₄를 이용함으로써 CF₄ 첨가시보다 C의 잔류물을 크게 줄이고 표면 손상을 개선할 수 있음을 X-선 광전자 분석과 주사전자현미경(scanning electron microscopy) 및 AFM(atomic force microscopy)의 결과로써 확인하였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 실험 결과 및 고찰

4. 결론

감사의 글

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2019-420-001263186