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한국진공학회 한국진공학회 학술발표회초록집 한국진공학회 제12회 학술발표회논문개요집
발행연도
1997.2
수록면
227 - 228 (2page)

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저압 공정 조건에서 건식식각을 진행하는 경우 반응 생성물에 의해 식각 특성이 변화되는 현상이 나타난다. TCP 장치에서 Cl₂/He/HBr 가스 플라즈마를 이용하여 PR mask의 thick poly-Si (≥8000 Å)을 식각하는 경우, 식각 진행 wafer 매수가 증가함에 따라 식각 속도가 감소하는 문제가 발생하였다. PR dummy를 이용한 경우 동일한 현상이 나타나는 반면, bare-Si dummy를 이용하였을 때에는 etch rate이 ... 전체 초록 보기

목차

요약

1. 서론

2. 실험 방법 및 결과

3. 고찰

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