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논문 기본 정보

자료유형
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제1권 제1호
발행연도
1992.2
수록면
37 - 42 (6page)

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16M/64M DRAM 제조공정에 적용할 수 있는 ECR 방식의 플라즈마 etcher를 개발하여 Poly-Si 식각공정에 적용하였다. 공정압력, 사용가스 및 초고주파 전력의 공정변수 변화에 따른 Poy-Si의 식각율 및 선택비 변화를 조사하였다. 초고주파의 전력이 증가할수록 식각율과 Oxide에 대한 선택비가 증가하는 경향을 보였으며 6mT의 공정압력에서 최적치를 보였다. 공정가스 SF_6/SF_6+Cl의 값이 증가할수록 식각율 및 선택비의 감소가 있었으며 이는 최적 공정변수를 찾지못하였기 때문으로 분석된다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 공정이론

3. 실험장치

4. 실험방법 및 고찰

5. 결론

참고문헌

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