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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제5권 제2호
발행연도
1996.6
수록면
169 - 174 (6page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

1996

식각 용기 가열에 의한 라디칼 손실 제어가 고선택비 산화막 식각에 미치는 영향
김정훈 ,  이호준 ,  주정훈 외 1명 Applied Science and Convergence Technology 1996.06 학술저널

1995

라디칼 손실 제어를 통한 고선택비 산화막 식각
김정훈 ,  이호준 ,  주정훈 외 1명 한국진공학회 학술발표회초록집 1995.06 학술대회자료

초록· 키워드

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초고집적회로의 집적도 증가에 따라 건식 식각 공정의 식각 선택도, 비등정도, 균일도 등과 같은 특성이 보다 개선되어지는 것이 요구되고 있으나, 현재 식각 공정에서 널리 이용되는 용량 결합 플라즈마(Capacitively coupled plasma) 장치가 이들 특성을 만족하지 못함에 따라 고밀도 플라즈마 장치를 식각에 응용 하고자 하는 연구가 진행되고 있다. 그러나 산화막 식각에 있어서 고밀도 플라즈마 장치의 높은 해리율로 인하여 주로 이용되는 CF 계열의 가스 방전에서 F의 과다 생성으로 SiO₂/Si의 높은 식각 선택도를 얻고자 하는 데에 어려움을 겪고 있다. 본 연구에서는 챔버 벽면의 온도를 조절하여, CF_x 라디칼의 주요 손실 채널중의 하나인 용기 벽면 폴리머막 형성을 제어하고, 산화막 식각에서 실리콘에 대한 선택도를 향상시킬 수 있는 방법을 제안하였다. Appearance Mass Spectroscopy(AMS)와 Optical Emission Spectroscopy(OES)를 이용하여 챔버 벽면의 온도에 따라 기판에 입사하는 라디칼 및 플라즈마 내의 라디칼 증가와 F 원자의 감소를 확인하였으며, 그 결과 챔버 벽면의 온도를 150℃로 가열함을 통해 C/F 비가 큰 가스에 대해서 40% 정도의 식각 선택도 개선을 얻을 수 있었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험 장치 및 실험

3. 결과 및 고찰

4. 결론

참고문헌

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