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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 1999.2
- 수록면
- 63 - 69 (7page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (2)
1999
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고밀도 플라즈마 source인 helical resonator의 특성을 알기 위해 Langmuir probe를 사용하여 특성 변수들-플라즈마 밀도, 전자 온도, 이온 전류 밀도-의 값을 측정하였다. 또한 Cl₂/poly-Si 시스템에서의 식각반응 메카니즘을 규명하기 위해 Si와 SiCl의 에미션 시그날을 분석하였다. Cl₂/poly-Si 식각 시스템계에서는 화학 식각에 의한 반응이 물리식각에 의한 반응보다 주됨을 알 수 있다. 또한 폴리 실리콘 내의 불순물 P농도가 증가함에 따라 식각의 화학반응 산출물인 SiCl의 양이 물리식각 산출물인 Si의 양보다 급격히 증가하는 양상을 보였다. 이는 표면 반응중 형성된 Si-Cl 결합을 통해 실리콘 내부의 전자들이 Cl 쪽으후 이동함으로써 Si-Cl은 더욱 유동적이며 이온화된 특성을 갖게 되고, 따라서 Cl₂^+와 같은 에천트들이 표면에 흡착될 확률이 커져 SiCl_x의 형성을 용이하게 하기 때문으로 생각된다. 즉 불순물 P 농도가 증가함에 따라 표면의 Si를 제거하는데는 물리식각보다 화학식각이 더욱 큰 역할을 하는 것으로 밝혀졌다.
목차
요약
Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
참고문헌
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