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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제8권 제4(2)호
발행연도
1999.12
수록면
565 - 571 (7page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

1999

유도결합형 Ar / CH₄ 플라즈마를 이용한 ITO의 식각 특성에 관한 연구
박준용 ,  김현수 ,  권광호 외 2명 Applied Science and Convergence Technology 1999.12 학술저널
Ar / CH₄ 혼합가스를 이용한 ITO 식각특성
박준용 ,  김현수 ,  염근영 한국진공학회 학술발표회초록집 1999.07 학술대회자료

초록· 키워드

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본 실험에서는 고밀도 플라즈마를 이용하여 디스플레이 소자에서 투명 전도막으로 사용되고 있는 ITO(indium tin oxide)의 건식 식각 특정에 관하여 조사하였으며 이들의 식각 반응을 플라즈마 진단 및 표면분석 장비를 이용하여 관찰하였다. Ar 분위기에서 적정량의 CH₄ 첨가시 플라즈마 상에서 생성된 H, CH₃ 라디칼에 의한 반응성 증가에 의해서 ITO의 식각 속도는 증가하였으나 과다 첨가시 CH₃에 의한 hydrocarbon 계열의 폴리머(polymer) 형성의 증가로 인하여 식각 속도는 감소하였다. 또한 source power 및 바이어스 전압의 증가에 따라 ITO 식각 속도는 증가하나 하부층(SiO₂, Si₃N₄4)과의 선택비는 감소하였다. 공정 압력을 증가시킬 경우 20 mTorr 까지는 ITO의 식각 속도가 약간 증가를 보였으나 그 이상의 압력 증가는 식각 속도를 감소시켰다. XPS 분석으로부터 Ar분위기에서 CH₄ 가스를 과다하게 첨가시킬 경우 ITO 표면 위에 hydrocarbon 계통의 폴리머로 추측되는 잔류물을 관찰하였으며 이것이 ITO 및 하부층의 식각에 영향을 미치는 것으로 예측되었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 실험결과 및 고찰

4. 결론

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