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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제7권 제4호
발행연도
1998.11
수록면
397 - 402 (6page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

1998

헬리콘 플라즈마를 이용한 고선택비 산화막 식각에 관한 연구
김정훈 ,  김진성 ,  김윤택 외 2명 Applied Science and Convergence Technology 1998.11 학술저널

1997

헬리콘 플라즈마를 이용한 고선택비 산화막 식각 특성
김정훈 ,  김진성 ,  김윤택 외 2명 한국진공학회 학술발표회초록집 1997.02 학술대회자료

초록· 키워드

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헬리콘 플라즈마 장치에서 주 입력 전력, 공정 압력을 변수로 산화막 식각 특성을 조사하였다. 산화막 식각 특성은 주 입력 전력이 높을수록, 그리고 공정 압력이 낮을수록 좋아졌다. C₄F_8 플라즈마에서 주 입력 전력이 300W에서 2000W로 증가함에 따라 실리콘에 대한 선택비는 2.9에서 25.33로 증가하였으며, 공정 압력이 10 mTorr에서 1.5 mTorr로 감소함에 따라 2.3에서 16.21로 증가하였다. 4극 질량 분석기를 사용하여 플라즈마 내의 라디칼 종 및 이온 종의 상대적 변화 추이를 살펴본 결과, 공정 압력이 낮아지고 입력 전력이 높아질수록 이온 종의 밀도가 라디칼 종의 밀도에 비해서 상대적으로 높아지면서 고선택비 식각이 얻어지는 것으로 밝혀졌다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험 장치

3. 실험 결과 및 토의

4. 결론

참고문헌

참고문헌 (0)

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