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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제15권 제4호
발행연도
2006.7
수록면
387 - 394 (8page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2006

Low Angle Forward Reflected Neutral Beam Etching을 이용한 Aspect Ratio Dependent Etching 현상의 제거
민경석 ,  박병재 ,  염근영 외 2명 Applied Science and Convergence Technology 2006.07 학술저널
Low-Angle Forward Reflected 중성빔식각을 이용한 Aspect-Ratio-Dependent Etching 현상 제거
민경석 ,  박병재 ,  염근영 외 2명 한국진공학회 학술발표회초록집 2006.02 학술대회자료

초록· 키워드

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본 연구에서는 반응성 이온빔을 low angle forward reflection으로 생성시킨 중성빔을 이용하여 Aspect Ratio Dependent Etching (ARDE) 현상이 제거되는 효과에 대하여 연구하였다. SF6 가스를 사용하여 Inductively Coupled Plasma system 과 이온빔으로 각각 poly Si을 식각한 결과 ARDE 현상을 관찰할 수 있었으며, Si 기판 위에 증착된 Poly Si을 식각하는 것 보다 SiO2 기판 위에 증착된 Poly Si을 식각하는 것이 ARDE 현상이 더 많이 나타난다는 것을 관찰할 수 있었다. 반면에 같은 공정 조건에서 중성빔으로 poly Si을 식각한 결과 이러한 ARDE 현상이 효과적으로 제거되었음을 관찰할 수 있었다. 중성빔을 이용하여 ARDE 현상이 제거되는 원리는 2차원의 XOOPIC code 와 TRIM code를 사용하여 여러가지 나노스케일의 형상을 컴퓨터 시뮬레이션하여 증명하였다.
#중성빔 식각 #Low angle surface reflection #ARDE #RIE lag #Neutral beam etching

목차

한국어 초록
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험장치 및 실험 방법
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고문헌
영어 초록

참고문헌 (0)

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