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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제8권 제4(1)호
발행연도
1999.11
수록면
476 - 481 (6page)

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극저온 자화 유도 결합 플라즈마 장치에서 Platinum 건식 식각의 특성을 연구하였다. Platinum 식각에서는 스퍼터링되어 방출된 Pt가 PR과 함께 형상 식각된 Pt의 측면에 재증착(redeposition)되는 문제점이 있다. 본 실험에서는 이러한 재증착으로 형성된 fence의 제거와 나아가 새로운 Pt 식각 기술의 제안을 목적으로 극저온 자화 유도 결합 플라즈마 발생 장치의 여러 변수를 변화시키며 Pt의 식각 특성을 조사하였다. 실험 변수로는 RF 전력, 압력, 바이어스 전압, 기판 온도, 가스 혼합 비율로 하였으며 주된 관찰 대상은 fence의 형성과 그 모양이었다. 실험 결과 바이어스 전력이 높아질수록 fence의 높이가 현저히 낮아졌으나 fence를 완전히 제거하지는 못하였다. 기판 온도가 -190℃인 극저온에서는 상온에서의 결과보다 fence의 높이가 20% 낮은 결과를 얻었으나 이는 극저온에서의 PR 식각 속도가 상온에서의 경우보다 큰 것에 그 원인이 있는 것으로 보인다. 가스의 혼합 변수에서는 Ar과 SF_6의 혼합 비율을 변화시켰으며 Ar/SF_6 플라즈마를 이용한 식각에서는 SF_6의 비율이 전체 유입 가스의 14% 이상인 조건에서 fence가 제거되며 화학 반응이 참여한 식각 특성과 유사한 경향을 가짐을 확인하였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험 장치

3. 실험 결과 및 토의

4. 결론

참고문헌

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