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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
박진형 (Nano-SOI 공정 연구실, 한양대학교) 김민석 (Nano-SOI 공정 연구실, 한양대학교) 백운규 (세라믹공학과, 한양대학교) 박재근 (Nano-SOI 공정 연구실, 한양대학교)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제15권 제6호
발행연도
2005.1
수록면
426 - 430 (5page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2005

Cu-CMP에서 Alanine이 Cu와 TaN의 선택비에 미치는 영향
박진형 ,  김민석 ,  백운규 외 1명 한국재료학회지 2005.01 학술저널
Effect of Nano-Colloidal Abrasive size on Removal Rate and Selectivity of Cu/TaN Film in Cu CMP
박진형 ,  김민석 ,  백운규 외 1명 한국재료학회 학술발표대회 2005.01 학술대회자료

초록· 키워드

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Chemical mechanical polishing (CMP) is an essential process in the production of integrated circuits containing copper interconnects. The effect of alanine in reactive slurries representative of those that might be used in copper CMP was studied with the aim of improving selectivity between copper(Cu) film and tantalum-nitride(TaN) film. We investigated the pH effect of nano-colloidal silica slurry containing alanine through the chemical mechanical polishing test for the 8(inch) blanket wafers as deposited Cu and TaN film, respectively. The copper and tantalum-nitride removal rate decreased with the increase of pH and reaches the neutral at pH 7, then, with the further increase of pH to alkaline, the removal rate rise to increase soddenly. It was found that alkaline slurry has a higher removal rate than acidic and neutral slurries for copper film, but the removal rate of tantalum-nitride does not change much. These tests indicated that alanine may improve the CMP process by controlling the selectivity between Cu and TaN film.
#Copper CMP #Alanine #Colloidal silica slurry #Slurry pH #Selectivity

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