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본 논문에서는 혼합소스(mixed-source) HVPE(hydride vapor phase epitaxy)방법으로 선택성장(SAG: selective area growth) GaN/AlGaN 이종접합구조의 발광다이오드를 r-plane 사파이어 기판 위에 제작하였다. SAG-GaN/AlGaN DH(double
heterostructure)는 고온 GaN 버퍼층, Te 도핑된 AlGaN n-클래딩층, GaN 활성층, Mg 도핑된 AlGaN p-클래딩층, Mg 도핑된 GaN p-캡층으로 구성되어있다. GaN/AlGaN 이종접합구조의 발광다이오드의 특성을 알아보기 위해 SEM을 통한 구조적분 석과 전류-전압 측정(I-V: current-voltage measurement), 전류-광출력(EL: electroluminescence) 측정을 통하여 전기적, 광학적 특성을 평가하였다.
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E. Kuokstis / 2002 / Polarization effects in photoluminescence of C- and M-plane GaN/AlGaN multiple quantum wells / Appl. Phys. Lett 81 : 4130 ~
H. Amano / 1989 / PType conduction in Mg-doped GaN treated with lowenergy electron beam irradiation (LEEBI) / Jpn. J. Appl. Phys. 28 : L2112 ~
H.G. Kim / 2008 / InGaN/GaN light emitting diode with R-plane polygonal facet deflectors / Phys. Stat. Sol.(c) 5 (6) : 2267 ~
J.I. Pankove / 1999 / Gallium Nitride II: Smiconductor and Semimetals / Academic Press : 57 ~
M.D. Craven / 2002 / Threading dislocation reduction via laterally overgrown nonpolar (11-20) a-plane GaN / Appl. Phys. Lett. 81 : 1201 ~
H. Amano / 1989 / PType conduction in Mg-doped GaN treated with lowenergy electron beam irradiation (LEEBI) / Jpn. J. Appl. Phys. 28 : L2112 ~
H.G. Kim / 2008 / InGaN/GaN light emitting diode with R-plane polygonal facet deflectors / Phys. Stat. Sol.(c) 5 (6) : 2267 ~
J.I. Pankove / 1999 / Gallium Nitride II: Smiconductor and Semimetals / Academic Press : 57 ~
M.D. Craven / 2002 / Threading dislocation reduction via laterally overgrown nonpolar (11-20) a-plane GaN / Appl. Phys. Lett. 81 : 1201 ~
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