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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2008.1
- 수록면
- 101 - 104 (4page)
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GaN films were grown on the vertical and horizontal reactors by the hydride vapour phase epitaxy (HVPE). The structural and optical characteristics of the GaN films were investigated depending on the reactor-type. GaN epilayers were characterized by double crystal X-ray diffraction (DC-XRD), transmission electron microscopy (TEM) and photoluminescence (PL). Surface defects of two kinds of the GaN films were revealed by the wet chemical etching
method, using H₃PO₄ acid at 200℃ for 8 minutes. Hexagonal etch pits were analyzed by optical microscopy and SEM. Etch pit densities were calculated to be approximately 1.4×10
7 and 1.2×106cm-² for GaN layers grown on horizontal and vertical reactors, respectively. Those results show GaN grown in the vertical reactor having a better quality of optical
properties and crystallinity than that in the horizontal reactor.
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A. Shintani / 1976 / Etching of GaN using phosphoric acid / J. Electrochem. Soc 123 : 706 ~
H. Morkoc / 1994 / Large-band-gap SiC, III-V nitride, and II-VI ZnSe-based semiconductor device technologies / J. Appl. Phys 76 : 1363 ~
M.A. Khan / 1993 / High electron mobility transistor based on a GaNAl xGa1 ? xN heterojunction / Appl. Phys. Lett 63 : 1214 ~
M.A. Khan / 1994 / Microwave performance of a 0.25 μm gate AlGaN/GaN heterostructure field effect transistor / Appl. Phys. Lett 65 : 1121 ~
P. Ruterana / 2003 / Nitride semiconductors: Handbook on materials and devices / Wiley : 4 ~
H. Morkoc / 1994 / Large-band-gap SiC, III-V nitride, and II-VI ZnSe-based semiconductor device technologies / J. Appl. Phys 76 : 1363 ~
M.A. Khan / 1993 / High electron mobility transistor based on a GaNAl xGa1 ? xN heterojunction / Appl. Phys. Lett 63 : 1214 ~
M.A. Khan / 1994 / Microwave performance of a 0.25 μm gate AlGaN/GaN heterostructure field effect transistor / Appl. Phys. Lett 65 : 1121 ~
P. Ruterana / 2003 / Nitride semiconductors: Handbook on materials and devices / Wiley : 4 ~
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