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Polar and non-polar GaN was grown by the HVPE on various substrates and influence of polarity has been
investigated. The 10 μm thickness GaN were grown by HVPE is along A-plane (1120), C-plane (0001) and M-Plane
(1010) sapphire substrate respectively. Surface properties were observed by optical microscope and atomic force microscopy.
High resolution X-ray diffraction (HR-XRD) confirms the wurtzite structure. The donor band exciton peak located at
~3.4 eV and also located yellow luminescence peak at 2.2 eV. The polarity of the GaN film has a strong influence on the
morphology and the optical properties.
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A. Chitnis / 2004 / Visible light-emitting diodes using a-plane GaN-InGaN multiple quantum wells over r-plane sapphire / Appl. Phys. Lett 84 : 366 ~
A. Hirai / 2007 / Defect-mediated surface morphology of nonpolar m-plane GaN / Appl. Phys. Lett 90
B.A. Haskell / 2003 / Structural and morphological characteristics of planar (110) a-plane gallium nitride grown by hydride vapor phase epitaxy / Appl. Phys. Lett 83 : 1554 ~
B.A. Haskell / 2005 / Microstructure and enhanced morphology of planar nonpolar m-plane GaN grown by hydride vapor phase epitaxy / J. Electron. Mater 34 (4) : 357 ~
D.A.B. Miller / 1985 / Electric field dependence of optical absorption near the band gap of quantum-well structures / Phys. Rev. B 32 : 1043 ~
A. Hirai / 2007 / Defect-mediated surface morphology of nonpolar m-plane GaN / Appl. Phys. Lett 90
B.A. Haskell / 2003 / Structural and morphological characteristics of planar (110) a-plane gallium nitride grown by hydride vapor phase epitaxy / Appl. Phys. Lett 83 : 1554 ~
B.A. Haskell / 2005 / Microstructure and enhanced morphology of planar nonpolar m-plane GaN grown by hydride vapor phase epitaxy / J. Electron. Mater 34 (4) : 357 ~
D.A.B. Miller / 1985 / Electric field dependence of optical absorption near the band gap of quantum-well structures / Phys. Rev. B 32 : 1043 ~
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