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본 연구에서는 고휘도 · 고출력 광학소자 제조에 GaN 기판으로서의 적용가능 여부를 평가하고자 HVPE 법으로성장된 bulk GaN 결정의 두께 증가에 따른 광학적 특성 변화를 분석하였다. HVPE를 이용하여 다양한 두께(0.4, 0.9, 1.5 mm 이상)의 2인치 GaN 기판을 제작한 뒤, 화학 습식 에칭, Raman, PL 등을 이용하여 기판의 결함밀도와 잔류응력 변화에따른 광학적 특성을 분석하였다. 이를 통해 제작된 GaN 기판의 결정 두께와 광학적 특성과의 상관관계를 확인하였으며, 동종기판의 제작을 통한 고성능 광학소자로의 응용가능성을 확인하였다.
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C.H. Roh / 2001 / The synthesis and characterization of GaN micro-crystals / J. Korean Cryst. Growth Cryst. Technol. 11:43
홍상현 / 2009 / HVPE 방법에 의해 r-plane 사파이어 기판 위의 선택성장된 GaN/AlGaN 이종 접합구조의 특성 / 한국결정성장학회지 19(1):6~10
오동근 / 2010 / HVPE법으로 성장시킨 GaN substrate 제작과 특성 평가 / 한국결정성장학회지 20(4):164~167
C. Lee / 1999 / Study on the optical properties of gallium nitride :84
Y.G. Lee / 2009 / LED industry and latest technology trend :52
홍상현 / 2009 / HVPE 방법에 의해 r-plane 사파이어 기판 위의 선택성장된 GaN/AlGaN 이종 접합구조의 특성 / 한국결정성장학회지 19(1):6~10
오동근 / 2010 / HVPE법으로 성장시킨 GaN substrate 제작과 특성 평가 / 한국결정성장학회지 20(4):164~167
C. Lee / 1999 / Study on the optical properties of gallium nitride :84
Y.G. Lee / 2009 / LED industry and latest technology trend :52
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