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논문 기본 정보

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저널정보
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 한국결정성장학회지 제16권 제4호
발행연도
2006.1
수록면
162 - 165 (4page)

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혼합소스 HVPE(hydride vapor phase epitaxy) 방법으로 InGaN/AlGaN의 이종접합구조(heterostructure)의 LED (light emitting diode)를 선택성장(SAG : selective area growth)하였다. InGaN/AlGaN 이종접합구조를 혼합소스 HVPE로 연속 성장하기 위하여 새로운 디자인의 multi-sliding boat를 도입하였다. SAG-InGaN/AlGaN LED의 상온 EL(electroluminescence) 특성은 주입전류가 20 mA일 때 중심파장은 425 nm였다. Multi-sliding boat를 이용한 혼합소스 HVPE 방법이 질화물 반도체 LED를 성장하는 유용한 방법이 될 수 있음을 확인하였다.1. 서 론
#HVPE #LED #SAG #EL #I-V #InGaN/AlGaN heterostructure #Multi-sliding boat system

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참고문헌 (15)

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/ / The EL spectra of SAG-LED for the different forward currents EL image of the SAG-LED google schola A. Usui / 1997 / Thick GaN epitaxial growth with low dislocation density by hydride vapor phase epitaxy? 36 google schola D. Marx. Z. Kawazu / 1998 / Selective area growth of GaN/AlN heterostructures? 189/190 google schola H.M. Kim / 2000 / Cathodoluminescence characterization of GaN thick films grown by using the HVPE method? 37 google schola H.S. Ahn / 2005 / Growth of thick AlGaN by mixed-source hydride vapor phase epitaxy? 243 google schola

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