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AlGaN는 3.4~6.2 eV까지 넓은 밴드갭을 가지는 직접천이형 반도체이다. 최근에 자외영역의 광소자가 다양하게응용되면서 자외선 발광이 가능한 AlGaN 역시 주목받고 있다. 이를 위해서는 고품질의 AlGaN 층이 필요하지만 GaN 층위에 AlGaN 층을 성장하는 것은 이들의 격자상수와 열팽창계수 차이로 인해 어렵다. 본 논문에서, multi-sliding boat법이적용된 혼합소스 HVPE법을 이용하여 GaN template 위에 LED 구조를 성장하였다. 활성층의 Al 조성을 조절함으로써AlGaN의 격자상수 변화와 광학적 변화를 관찰하고자 하였다. 에피 성장을 위해 HCl과 NH3 가스를 혼합소스 표면으로 흘려주었고, 수송가스로는 N2를 사용하였다. 소스영역과 성장영역의 온도는 각각 900과 1090oC로 안정화하였다. 성장 후 샘플은 x-ray diffraction(XRD)과 electro luminescence(EL) 측정을 하였다
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A. Krost / 2000 / Nearly strain-free AlGaN on (0 0 0 1) sapphire: X-ray measurements and a new crystallographic growth model / Journal of Crystal Grwoth 221 : 251 ~
A. SH. Hussein / 2011 / Effect of Al mole fraction on structural and electrical properties of AlxGa1 ?. xN/GaN heterostructures grown by plasma-assisted molecular beam epitax
A.A. Allerman / 2004 / Growth and design of deep-UV (240~290 nm) light emitting diodes using AlGaN alloys / Journal of Crystal Growth 272 : 227 ~
B. L?. ucznik / 2005 / Deposition of thickGaN layers by HVPE on the pressure grown GaN substrates / Journal of Crystal Growth 281 : 38 ~
H. Ashraf / 2008 / Thick GaN layers grown by HVPE: Influence of the templates / Journal of Crystal Growth 310 : 3957 ~
A. SH. Hussein / 2011 / Effect of Al mole fraction on structural and electrical properties of AlxGa1 ?. xN/GaN heterostructures grown by plasma-assisted molecular beam epitax
A.A. Allerman / 2004 / Growth and design of deep-UV (240~290 nm) light emitting diodes using AlGaN alloys / Journal of Crystal Growth 272 : 227 ~
B. L?. ucznik / 2005 / Deposition of thickGaN layers by HVPE on the pressure grown GaN substrates / Journal of Crystal Growth 281 : 38 ~
H. Ashraf / 2008 / Thick GaN layers grown by HVPE: Influence of the templates / Journal of Crystal Growth 310 : 3957 ~
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