GaN stripe 꼭지점 위의 GaN 나노로드의 선택적 성장

유연수; 이준형; 안형수; 신기삼; Yincheng He; 양민

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자료유형: 학술저널

저자정보: 유연수 이준형 안형수 신기삼 Yincheng He 양민

저널정보: 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 한국결정성장학회지 제24권 제4호

발행연도: 2014.1

수록면: 145 - 150 (6page)

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3차원적 선택적 결정 성장 방법에 의해 GaN stripe 구조의 꼭지점 부분에만 GaN 나노로드를 성장하였다. GaNstripe의 꼭지점 부분의 SiO2 만을 최적화된 포토리소그라피 공정을 이용하여 제거하고 이를 선택적 결정 성장을 위한 마스크로 사용하였다. SiO2가 제거된 꼭지점 부근에만 Au 금속을 증착하고, metal organic vapor phase epitaxy(MOVPE) 방법에의해 GaN stripe의 꼭지점 부분에만 GaN 나노로드의 선택적 성장을 실시하였다. GaN 나노로드의 형상과 크기는 결정 성장 온도와 III족 원료의 공급량에 의해 변화가 있음을 확인하였다. Stripe 꼭지점에 성장된 GaN 나노로드는 단면이 삼각형형태를 가지고 있으며 끝으로 갈수록 점점 폭이 좁아지는 테이퍼 형상을 가지며 성장되었다. TEM 관측 결과, 매우 좁은영역에서만 선택적 결정 성장이 이루어졌기 때문에 GaN 나노로드에서 관통전위(threading dislocations)는 거의 관찰되지 않음을 확인하였다. 선택성장이 시작되는 부분의 결정면과 GaN 나노로드의 성장방향의 결정면 방향의 차이에 기인하는 적층결함(stacking faults)들이 GaN 나노로드의 중심영역에서 생성되는 것을 관찰할 수 있었다.

#GaN #GaN nanorod #GaN stripe #MOVPE #Nanostructure

참고문헌 (16)

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F.A. Ponce / 1997 / Nitride-based semiconductorsfor blue and green light-emitting devices / Nature 386 : 351 ~

G. Lee / 2009 / Directionally integrated VLS nanowire growth in a local temperature gradient / AngewandteChemie International Edition 48 (40) : 7366 ~

H. MorKoc / 1995 / High-luminosityblue and blue-green gallium nitride light-emitting diodes / Science 267 : 51 ~

I.M. Tiginyanu / 2003 / Luminescence ofGaN nanocolumns obtained by photon-assisted anodicetching / Appl. Phys. Lett 83 : 1551 ~

J.I. Pankove / 1999 / Gallium Nitride II:Semiconductor and semimetals / Academic Press : 57 ~