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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2015.1
- 수록면
- 182 - 187 (6page)
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GaN 스트라이프 구조의 정상 부분에 Metal Organic Chemical Vapor Deposition(MOCVD) 방법에 의해 선택적으로 결정 성장된 마이크로 크기의 AlGaN 어레이 구조의 성장과 그 특성에 관해 연구하였다. AlGaN 어레이 구조의 형태 변화가 선택 성장을 위한 노출 면적에 의존한다는 것을 확인하였다. 상대적으로 넓게 노출 된 성장 영역 위에서 선택 성장된 AlGaN 어레이 구조는 기판 위의 GaN 스트라이프와 유사한 규칙적인 모양을 가지는 반면 상대적으로 좁게 노출된 영역 위에서 선택 성장 된 AlGaN 어레이 구조는 불규칙한 모양을 가진다. 한편, Al 조성비가 증가함에 따라 AlGaN 어레이미세 구조에 대한 고유 포논 진동수도 높아짐을 확인할 수 있었다. 하지만 상대적으로 높은 Al 조성비에서는 고유 포논 진동수는 AlGaN 구조와 그 아래의 GaN 스트라이프 사이의 큰 격자상수 차이와 선택적 결정 성장 과정 동안의 결정면 방향의 변화에 의해 강한 tensile strain으로 인해 다시 감소하는 경향을 보임을 확인하였다.
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A. F. Wright / 1997 / Elastic properties of zinc-blende and wurtzite AlN, GaN, and InN / J. Appl. Phys 82 : 2833 ~
C. Deger / 1998 / Sound velocity of AlxGa1 ? xN thin films obtained by surface acoustic-wave measurements / Appl. Phys. Lett 72 : 2400 ~
F. Demangeot / 1997 / Raman study of Ga1 ? xAlxN solid solutions / MRS Internet J. Nitride Semicond. Res 2 : 40 ~
G. Steude / 1999 / Strain modification of GaN in AlGaN/GaN epitaxial films / Jpn. J. Appl. Phys 38 : 498 ~
H. Masui / 2010 / Nonpolar and semipolar III-nitride light-emitting diodes: Achievements and challenges / IEEE Trans. Electron. Dev 57 : 88 ~
C. Deger / 1998 / Sound velocity of AlxGa1 ? xN thin films obtained by surface acoustic-wave measurements / Appl. Phys. Lett 72 : 2400 ~
F. Demangeot / 1997 / Raman study of Ga1 ? xAlxN solid solutions / MRS Internet J. Nitride Semicond. Res 2 : 40 ~
G. Steude / 1999 / Strain modification of GaN in AlGaN/GaN epitaxial films / Jpn. J. Appl. Phys 38 : 498 ~
H. Masui / 2010 / Nonpolar and semipolar III-nitride light-emitting diodes: Achievements and challenges / IEEE Trans. Electron. Dev 57 : 88 ~
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