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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2010.1
- 수록면
- 164 - 167 (4page)
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본 연구에서는 HVPE을 이용하여 sapphire(001) 기판 위에 직경 2 inch, 두께 약 1.5 mm인 bulk GaN를 성장하고,이를 mechanical polishing을 통해 10 × 10, 15 × 15 mm 크기의 free-standing GaN template을 제작하여 그 특성을 평가하였다.
성장된 GaN 단결정의 X-ray diffraction pattern 결과 (002) 및 (004) 면으로부터의 회절에 의한 peak가 나타났으며, (002) 면의 DCXRD(Double crystal X-Ray diffraction) rocking curve peak의 반치폭(FWHM)은 98 arcsec으로 나타났다. 제작한 GaN template는 363 nm 파장에서 sharp한 PL spectrum을 나타내었으며, 불순물 defect에 의한 yellow 영역에서의 broad peak은관찰되지 않았으며, 제작된 GaN template표면의 etch-pit 밀도는 5 × 106/cm 2으로 매우 낮았다. 이러한 분석결과를 통하여 성장된 GaN template는 LED 및 LD 등의 청색 발광소자 및 고온, 고출력 소자용 기판재료로 응용이 가능할 것으로 생각 된다.
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참고문헌 (10)
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H. Morkoc / 1994 / Large-band-gap SiC, III-V nitride, and II-VI ZnSe-based semiconductor device technologies / J. Appl. Phys. 76 : 1363 ~
H.K. Jung / 2003 / Investigation of the Polarity in GaN Grown by HVPE / Korean J. Crystallography 14 (2) : 93 ~
H.P. Maruska / 1974 / The preparation and property of vapor-deposited single-crystal-line GaN / Appl. Phys. Lett. 15 : 327 ~
I. Grzegory / 1995 / III-V Nitridesthermodynamics and crystal growth at high N2 pressure / J. Phys. Chem. Solids 56 : 639 ~
J.W. Lee / 1997 / Study on the growth characteristics of think gan on sapphire substrate using hydride vapor phase epitaxy / Korean Journal of Materials Research 7 (6)
H.K. Jung / 2003 / Investigation of the Polarity in GaN Grown by HVPE / Korean J. Crystallography 14 (2) : 93 ~
H.P. Maruska / 1974 / The preparation and property of vapor-deposited single-crystal-line GaN / Appl. Phys. Lett. 15 : 327 ~
I. Grzegory / 1995 / III-V Nitridesthermodynamics and crystal growth at high N2 pressure / J. Phys. Chem. Solids 56 : 639 ~
J.W. Lee / 1997 / Study on the growth characteristics of think gan on sapphire substrate using hydride vapor phase epitaxy / Korean Journal of Materials Research 7 (6)
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